FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 说明书 FQP7N65C/FQPF7N65C是美国Fairchild公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术。该技术经过优化，可最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能，并且能够承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 本文介绍了一款Fairchild生产的N-通道增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效开关模式电源。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(2) FQPF70N10 是 Fairchild 生产的一款 100V N 通道 MOSFET，它采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于低压应用，如音频放大器、高效率切换 DC/DC 转换器和 DC 电机控制。
alsc ASM161/ASM162 说明书 ASM161和ASM162是经济实惠，低功耗的监控电源的超级电路，适用于微处理器，微控制器和数字系统。具有改进的手动复位架构，低功耗，适用于便携式和电池供电设备。
FAIRCHILD FQPF5N40 说明书 QFET是安森美半导体公司推出的一种新型电源开关器件，它具有体积小、功率大、开关速度快、开关损耗低等优点。QFET适用于各种电源应用，如开关电源、电机驱动、LED驱动等。
FAIRCHILD FQPF47P06 说明书 该数据表为FQPF47P06的绝对最大额定值、热特性、漏源电压、漏源电流、门源电压、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、重复雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、功耗、工作和存储温度等参数。
FAIRCHILD FQPF33N10L 说明书 FQPF33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款产品，它采用了Fairchild自有的planar stripe DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力等特点。该产品适用于低压应用，如高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制。
FAIRCHILD FQPF33N10 说明书 FQPF33N10是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF30N06L 说明书 FQPF30N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款60V逻辑N通道MOSFET，其特点包括低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及低门控电荷和低Crss。该器件适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效率电源管理开关。
FAIRCHILD FQPF2N80 说明书 FQPF2N80是Fairchild生产的一款800V N通道MOSFET，其特点是：1.5A，800V，RDS（on）= 6.3Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值为12 nC），低Crss（典型值为5.5 pF），快速开关，100％雪崩测试，改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF2N70 说明书 这份文件介绍了FQPF2N70 QFET TM FQPF2N70 700V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲下的抗击穿和换向能力等。适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF27P06 说明书 FQPF27P06 是一款 60V P 通道 MOSFET，它具有低门极电荷、低 Crss 和快速开关特性。它适用于低电压应用，如汽车、DC/DC 转换器和便携式电池供电产品中的功率管理的高效率开关。
FAIRCHILD FQPF22P10 说明书 FQPF22P10是Fairchild制造的一种100V P通道MOSFET，具有低导通电阻、高开关性能、高能量脉冲承受能力、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。
