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ON NTB75N03R, NTP75N03R Power MOSFET 75 Amps, 25 Volts N-Channel D2 PAK, TO-220 数据手册

NTB75N03R/D是一款功率MOSFET产品，具有75安培和25伏特的N沟道特性。采用Planar HD3e工艺，具有快速开关性能，低导通损耗和低驱动器损耗。

该文件介绍了NTP75N06和NTB75N06功率MOSFET的特点和特性。它们适用于低电压、高速开关应用，如电源、变换器、电机控制和桥式电路。

NTB90N02/D NTB90N02, NTP90N02 是 N−Channel 的功率 MOSFET，最大电压为 24 V，最大电流为 90 A。该产品适用于低压、高速度开关应用，如电源、转换器、电机控制和桥式电路。

QFET QFET QFET QFET是英特尔公司推出的一种新一代高性能高密度高效率的碳化硅功率器件，该器件采用英特尔公司独有的碳化硅衬底技术，具有超高的临界击穿电压和超低的导通电阻，同时还具有优异的抗热冲击和热循环特性，可以满足高功率高密度应用的苛刻要求。

这份文件是关于QFET的技术白皮书，介绍了QFET的特点和特性。

该文件介绍了QFET产品的特点和特性，包括QFET的结构原理、工作原理、应用场景等。

这份文件介绍了FQP13N50/FQPF13N50型500V N沟道MOSFET产品的特点和特性，采用Fairchild公司的专有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效的开关电源、功率因数校正和基于半桥的电子灯电子镇流器。

FQP13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种高性能的MOSFET器件，具有低RDS(on)、低gate charge、低Crss、快速开关等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用场合。

FQP13N10是Fairchild生产的100V N通道MOSFET，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器、直流电机控制等低压应用

FQP13N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的60V逻辑N型MOSFET，采用Fairchild独家平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲能力，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用

该文件介绍了QFET产品的特点和特性。

FQP11N40C/FQPF11N40C 400V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的低RDS(on)，高耐压N通道MOSFET，可以应用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等

该数据表提供了FQP10N20C/FQPF10N20C的数据信息，包括产品参数、特性、应用场景等。

该文档为FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET的数据手册，介绍了该器件的特点特性，包括额定工作电压、电流、门电压、门电容等。

FQN1N60C是600V N通道MOSFET，具有0.3 A、600 V、RDS(on) = 11.5 Ω @ VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为4.8 nC）、低Crss（典型值为3.5 pF）、快速开关和100％雪崩测试等特点。

FQN1N50C是一款500V N通道MOSFET，其特点是低RDS(on)、低门控电荷和快速开关，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。

FQL40N50F是Fairchild制造的一种N沟道MOSFET，该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和高dv/dt能力。

FQL40N50是一款500V N通道MOSFET，由Fairchild制造，具有40A的持续电流和0.11欧姆的导通电阻。

该文件介绍了FQB5N60C/FQI5N60C N通道MOSFET的特性，包括电压、电流、功率、开关速度等。

该数据表格提供了FQB4N90 / FQI4N90的产品规格信息，包括引脚定义、封装形式、最大工作电压、最大工作电流、开关速度、门极漏电等参数。