FAIRCHILD FQP19N20C/FQPF19N20C 说明书 本文介绍了FQP19N20C/FQPF19N20C QFET® 200V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有低通态电阻、优良的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于高效率开关DC/DC变换器、开关电源、DC-AC变换器和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQP20N06 说明书 这份文档介绍了FQP20N06型号的60V N-通道MOSFET，该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力的特点。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式电池操作产品的高效开关电源管理。
FAIRCHILD FQP20N06L 说明书 这份文件介绍了FQP20N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品。该产品采用Fairchild公司的专有技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲下的耐久性。适用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关电源管理。
FAIRCHILD FQP24N08 80V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP24N08是一款80V N通道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效率开关和DC电机控制。
FAIRCHILD FQP27P06 60V P-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP27P06型号的60V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild公司的DMOS技术，具有低电阻、快速开关和高能量脉冲耐受能力等特点，适用于低压应用领域。
FAIRCHILD FQP2N60C/FQPF2N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP2N60C/FQPF2N60C是Fairchild生产的2.0A,600V N-Channel MOSFET。具有低RDS(on)、低门控电荷和低Crss等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQP30N06L是Fairchild生产的一款60V逻辑N沟道MOSFET。该产品具有32A、60V、RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为50 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
FAIRCHILD FQP32N20C/FQPF32N20C 200V N-Channel MOSFET 数据手册 本文介绍了FQP32N20C/FQPF32N20C型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性。该产品采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产，具有低导通电阻、优异的开关性能和能够承受高能量脉冲的特点。适用于高效率开关式DC/DC转换器、开关电源、无间断电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQP3N30 300V N-Channel MOSFET 数据手册 本文件介绍了QFET (Qualified Field Engineering Technicians) 培训计划. QFET 培训计划旨在帮助工程师提高他们的技术技能和知识. 该计划为工程师提供了一个学习环境，在该环境中，他们可以获得必要的知识和技能，以在他们的职业生涯中取得成功.
FAIRCHILD FQP3N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP3N60C型号的600V N沟道MOSFET的特点和特性，包括3A的电流、低门电荷、快速开关、100%的雪崩测试等。
FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的800V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲和改进的dv/dt能力。
