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SEME LAB 2N7081–220M–ISO 数据手册

2N7081–220M–ISO是Semilab plc生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是TO–220绝缘罐式封装、低RDS(ON)、简单的驱动要求。

FAIRCHILD FQA62N25C 数据手册

FQA62N25C是Fairchild公司生产的250V N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V，低门极电荷，低Crss，快速开关，100%的雪崩测试，改进的dv/dt能力。

SEME LAB 2N7085 数据手册

该文件介绍了2N7085型号的特点和特性，包括最大工作电压、最大电流、最大功率等参数。

FAIRCHILD FQA65N20 数据手册

这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA65N20 QFET TM FQA65N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的可靠性。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、无间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

FAIRCHILD FQA6N90C_F109 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQA6N90C_F109 900V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括6A的电流、900V的电压、低的门电荷和Crss、快速开关、100%的avalanche测试和改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FQA70N10 数据手册

这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International所生产的FQA70N10 N-Channel MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、卓越的开关性能和能够承受高能量脉冲的能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

SEME LAB 2N7091 数据手册

2N7091 是 TO-257AB 金属封装的 P 通道增强型晶体管。该晶体管具有简单的驱动要求，适用于高可靠性应用。

FAIRCHILD FQA70N15 数据手册

该文件介绍了QFET，它是一种用于电力电子系统的新型功率器件。QFET具有高开关速度、低导通电阻、高耐压和宽禁带等优点，有望在电力电子系统中得到广泛应用。

FAIRCHILD FQA7N80C_F109 数据手册

该文件介绍了FQA7N80C_F109 800V N-Channel MOSFET的特点和特性，如低门电荷、快速开关和改进的dv/dt能力等。

FAIRCHILD FQA8N100C 数据手册

FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET 是一款低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进dv/dt 能力的 MOSFET。

FAIRCHILD FQA8N90C_F109 数据手册

该文件介绍了FQA8N90C_F109型号的900V N-Channel MOSFET产品的特点，包括8A的电流、1.9Ω的RDS(on)、低门电荷、快速开关等特性。

FAIRCHILD FQA90N08 数据手册

FQA90N08是一款80V N沟道MOSFET，其特点是低导通电阻、高开关速度、100%的雪崩测试及改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FQH90N15 / FQA90N15 数据手册

这份文件介绍了FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET的特点和特性，包括90A的电流、150V的电压、低的RDS(on)值、低的门电荷和Crss值、快速开关速度、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力等。

FAIRCHILD FQA90N15_F109 数据手册

FQA90N15_F109是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V、低门控电荷(典型值为220nC)、低Crss(典型值为200pF)、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、175°C最大结温等级和RoHS兼容性。

FAIRCHILD FQA9N90_F109 数据手册

该文件介绍了FQA9N90_F109型900V N-Channel MOSFET的特点特性，包括电流、电压、开关速度等方面的参数。

ON Semiconductor CS51021A, CS51022A, CS51023A, CS51024A 数据手册

该数据手册是关于CS51021A/2A/3A/4A固定频率PWM电流模式控制器的，它提供所有必要的功能，以满足AC-DC或DC-DC主侧控制的要求。该系列包含了多种功能，从而消除了需要外部实现的额外组件。除了低启动电流(75µA)和高频操作能力之外，CS51021A/2A/3A/4A系列还包括过电压和欠电压监控、外部可编程双阈值过电流保护、电流检测前沿消隐、电流斜率补偿、精确的占空比控制和可用外部5.0V参考电压。CS51021A和CS51023A具有双向同步能力，而CS51022A和CS51024A则具有100µA最大IC电流消耗的睡眠模式。CS51021A/2A/3A/4A系列采用16引脚窄体SO封装。

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