ON Semiconductor NTP18N06L, NTB18N06L 数据手册 NTP18N06L和NTB18N06L是美国半导体公司生产的N沟道MOSFET，最大电压60V，最大电流15A，典型应用场景包括电源、转换器、电动机控制和桥式电路。
FAIRCHILD FQB4N80/FQI4N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的N沟道增强型功率场效晶体管，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效率开关电源。
ON CS5171, CS5172, CS5173, CS5174 1.5 A 280 kHz/560 kHz Boost Regulators 数据手册 该数据表提供了CS5171, CS5172, CS5173, CS5174 1.5 A 280 kHz/560 kHz Boost Regulators的特性参数
FAIRCHILD FQAF13N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQAF13N80是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效晶体管。它采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力等优势，适用于高效率开关电源。
ON Semiconductor NTP85N03, NTB85N03 数据手册 NTP85N03, NTB85N03 是一种 N 沟道 MOSFET，额定电压为 28 V，额定电流为 85 A，用于低压、高速度开关应用，如电源、转换器和电动机控制器以及桥式电路。
FAIRCHILD FQH8N100C 1000V N-Channel MOSFET 数据手册 FQH8N100C是Fairchild生产的一款1000V N通道MOSFET，具有8A电流、1.45欧姆的导通电阻、低栅极电荷和Crss，以及快速开关、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQD8P10/FQU8P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有很低的导通电阻、出色的开关性能和耐高能脉冲的能力。它适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQD2N80/FQU2N80 说明书 FQD2N80 / FQU2N80 是Fairchild生产的800V N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、高频开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQD1N80 / FQU1N80 说明书 这份文档介绍了FQD1N80 / FQU1N80型号的800V N-沟道MOSFET产品，采用Fairchild公司的专有技术生产。产品具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，非常适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQP24N08 80V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP24N08是一款80V N通道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效率开关和DC电机控制。
FAIRCHILD FQP3N80C/FQPF3N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP3N80C/FQPF3N80C是Fairchild生产的800V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQP4N80 说明书 这份文档介绍了FQP4N80 QFET TM FQP4N80 800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速切换等特点，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 本文档介绍了FQP6N80C/FQPF6N80C这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能量脉冲下的耐受能力等。该产品适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQP7N80C/FQPF7N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQP7N80C/FQPF7N80C型号的800V N沟道MOSFET产品。这些产品采用了Fairchild公司自有的DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲耐受能力等特点，非常适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQP8N80C/FQPF8N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQP8N80C/FQPF8N80C/FQPF8N80CYDTU 800V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低导通电阻、快速开关速度、高能量脉冲耐受性等。
FAIRCHILD FQP8N90C/FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 这是 FQP8N90C/FQPF8N90C 900V N-Channel MOSFET 的 PDF 数据表
FAIRCHILD FQP8P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 FQP8P10是Fairchild生产的一种100V P通道MOSFET，其特点是低导通电阻、低栅极电容和快速开关特性，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用
FAIRCHILD BC307/308/309 Switching and Amplifier Applications 数据手册 BC307/308/309是Fairchild Semiconductor Corporation制造的PNP型硅晶体管。该晶体管具有-50至-30伏的集电极-发射极电压、-45至-25伏的集电极-发射极击穿电压、-5伏的发射极-基极电压、-100毫安的集电极电流和500毫瓦的集电极功率耗散。该晶体管的典型应用包括开关和放大器。
