FAIRCHILD FDS2582 说明书 FDS2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型通道MOSFET,其特点是rDS(ON) = 57mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 4.1A, Qg(tot) = 19nC (Typ.), VGS = 10V,适用于DC/DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRMs、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直喷/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门控制系统等场合。
FAIRCHILD FDS8840NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8840NZ是一种N沟道功率沟道MOSFET,具有最大rDS(on)为4.5 mΩ,最大rDS(on)为6.0 mΩ,HBM ESD保护等特点。
FAIRCHILD FDS8817NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8817NZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 通道 MOSFET,其最大 rDS(on) 为 7mΩ,VGS = 10V,ID = 15A。该器件具有极低的 rDS(on)、高功率和电流处理能力,并符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FDS8813NZ N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8813NZ是一款N沟道PowerTrench® MOSFET,具有30V的漏极到源极电压,18.5A的漏极电流和4.5mΩ的最大导通电阻。该器件采用了先进的PowerTrench®工艺,适用于笔记本电脑和便携式电池组等功率管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS8690 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8690 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N-Channel MOSFET,额定电压为30V,额定电流为14A,最大导通电阻为7.6mΩ。该MOSFET采用了高性能的沟槽技术,具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它还具有极低的栅极电荷,高功率和电流处理能力,并且经过100%的RG测试,符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDS86540 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86540 N-Channel PowerTrench® MOSFET是FAIRCHILD的一种MOSFET,具有高性能沟槽技术,极低的rDS(on),高功率和电流处理能力,广泛用于表面贴装封装。
FAIRCHILD FDS8638 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET,具有极低的导通电阻,最大漏源电压为40V,最大漏源电流为18A,最大开关损耗为2.5W。该器件采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造,具有高可靠性和低功耗特性,适用于同步整流器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDS86252 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDS86252是一款N沟道功率沟槽MOSFET,具有最大55mΩ的漏源电阻和最大4.5A的漏极电流。采用高性能沟槽技术,具有极低的漏源电阻和高功率、大电流处理能力。广泛应用于直流-直流转换MOSFET。
FAIRCHILD FDS86242 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDS86242 N-Channel PowerTrench MOSFET产品的特点和特性,包括最大导通电阻、高性能槽沟技术、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDS86240 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86240 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能MOSFET,其最大电阻为19.8mΩ,工作电压为150V,最大电流为7.5A
FAIRCHILD FDS86141 数据手册 FDS86141是一款N通道PowerTrench® MOSFET,其最大RDS(on)为23 m,最大额定电压为100 V,最大电流为7 A。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺,具有超低RDS(on)和卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDS86140 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86140 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET,具有极低的导通电阻和高功率和电流处理能力。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造,该工艺经过优化,可实现rDS(on)、开关性能和坚固性。
FAIRCHILD FDS8449 40V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2005年12月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的FDS8449 40V N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品采用了Fairchild公司先进的PowerTrench工艺,具有低开态电阻和优异的开关性能。主要应用于逆变器和电源等领域。
FAIRCHILD FDS8447 Single N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8447是Fairchild Semiconductor Corporation生产的单N通道功率沟道MOSFET,它采用先进的PowerTrench®工艺,具有极低的rDS(on)和卓越的开关性能,适用于DC-DC转换应用。
FAIRCHILD FDS8433A Single P-Channel 2.5V Specified MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDS8433A型号的P-Channel MOSFET的特点和特性,包括低导通电阻、快速开关速度、高密度细胞设计和高功率处理能力。
FAIRCHILD FDS6986AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFET 数据手册 FDS6986AS是专门为笔记本电脑等电池供电电子设备设计的同步DC:DC电源供应器中,替代两个单个SO-8 MOSFET和Schottky二极管的器件。它包含两个独特的30V、N通道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET,旨在最大化功率转换效率。高侧开关(Q1)的设计重点在于降低开关损耗,而低侧开关(Q2)优化为降低导通损耗。Q2还包括集成的Schottky二极管,采用Fairchild的monolithic SyncFET技术。