FAIRCHILD FQT1N80 N-Channel MOSFET 数据手册 FQT1N80TF_WS是N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild公司生产。该产品采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及改进的dv/dt能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF85N06 说明书 FQPF85N06是Fairchild生产的一款60V N-Channel MOSFET。它具有53A的最大电流输出，0.010Ω的开关电阻，86 nC的栅极电容和165 pF的寄生电容，适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品的功率管理中的高效率开关。
FAIRCHILD FQPF2N80 说明书 FQPF2N80是Fairchild生产的一款800V N通道MOSFET，其特点是：1.5A，800V，RDS（on）= 6.3Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值为12 nC），低Crss（典型值为5.5 pF），快速开关，100％雪崩测试，改进的dv/dt能力。
Alliance Semiconducto ASM1810 Low Power, 5V µP Reset - Active LOW, Push-Pull Output 数据手册 该文档是关于ASM1810产品的介绍，介绍了产品的特点特性，如低功耗、5V µP 复位、推挽输出等。
PNP BC 327 / BC 328 General Purpose Transistors 数据手册 BC 327 / BC 328 是PNP型通用三极管，封装采用TO-92塑料小型三极管标准外壳，功耗625mW，集电极-发射极电压45V，集电极-发射极电压短路时50V，发射极-基极电压5V，集电极电流800mA，峰值集电极电流1A，基极电流100mA，集电极-发射极电流比100-630，工作温度范围-65°C~150°C。
Alliance Semiconductor February 2005 ASM1812 Low Power 5V µP Reset Active HIGH, Push-Pull Output 数据手册 ASM1812是一种低功耗的5V µP复位器，具有主动高电平、推挽输出功能。其最大供电电流为20µA。ASM1812在监测电源(VCC)电平时发出主动高电平复位信号。容差级别选项为5%、10%和15%。当检测到超出容差范围的条件时，会生成一个内部电源故障信号，强制发出一个主动高电平复位信号。在VCC返回到容差范围内后，复位信号保持活跃150ms，以允许电源和系统微处理器稳定。ASM1812采用推挽输出级设计，适用于扩展工业温度范围。该系列还有TO-92和紧凑型表面贴装SOT-23封装的设备。其他低功耗产品包括ASM1810/11/15/16/17、ASM1233D和ASM1233M。
NPN BC 337 / BC 338 General Purpose Transistors 数据手册 BC 337 / BC 338 是通用硅NPN晶体管，封装采用TO-92，塑料外壳，UL94V-0 认证。
