FAIRCHILD FDS6982AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench SyncFet(TM) 数据手册 FDS6982AS是一种用于替代同步DC:DC电源中两个单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管的器件，为笔记本电脑和其他电池供电的电子设备提供各种外围电压。它包含两个独特的30V N沟道PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。高侧开关（Q1）在减小开关损耗方面设计有特定的重点，而低侧开关（Q2）则优化以减小导通损耗。Q2还包括使用Fairchild的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。
BARCO R9001870/R9005010/R9841020 用户手册 这份文件是关于BARCOPROJECTION CINE VERSUM SYSTEM R9001870 R9005010 R9841020的产品说明书
FAIRCHILD FDS6898AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6898AZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET。这些器件适用于需要低在线功耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
FAIRCHILD FDS6898A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6898A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双N通道逻辑级PWM优化PowerTrench MOSFET，具有低导通电阻、低门电荷、高性能沟槽技术和高功率和电流处理能力等特点。
FAIRCHILD FDS6894AZ Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6894AZ是Fairchild Semiconductor推出的一种逻辑级N通道功率MOSFET，其采用先进的PowerTrench工艺，具有非常低的RDS(ON)和优异的开关性能。该产品适用于需要低线损和快速开关的低电压和电池供电应用。
FAIRCHILD FDS6892A Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6892A双通道N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrenchMOSFET。这些MOSFET采用了先进的PowerTrench工艺，旨在最大限度地减小导通电阻，同时保持卓越的开关性能。该产品特别适用于低压和电池供电的应用，需要低线损耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS6890A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6890A是Fairchild Semiconductor生产的双N通道2.5V指定MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，可实现快速开关速度和高功率和电流处理能力
FAIRCHILD FDS6875 Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6875是Fairchild Semiconductor生产的一种双P通道2.5V额定功率沟槽MOSFET，它具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷特性，适用于便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。
FAIRCHILD FDS6682 30V N-Channel PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS6682是一款30V N沟道PowerTrench MOSFET，专门设计用于提高采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率。它经过优化，可在“低侧”同步整流器中进行操作，在小型封装中提供极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDS6681Z 说明书 FDS6681Z是一款30伏特P通道PowerTrench®MOSFET，使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench®工艺制造，该工艺专门针对降低导通电阻而定制。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDS6680AS 30V N-Channel PowerTrench® SynchFET(TM) 说明书 FDS6680AS是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款30V N-Channel PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，旨在取代单个SO-8 MOSFET和肖特基二极管，在同步DC/DC电源中实现高效功率转换，具有低RDS(ON)和低栅极电荷的特点。
FAIRCHILD FDS6680A Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDS6680A型号的N沟道逻辑电平MOSFET。该器件采用先进的功率沟道工艺生产，旨在最小化静态电阻，并保持优异的开关性能。该器件适用于低压和电池供电应用，需要低线损耗和快速开关。
ON NUP4108W5 Low Capacitance Quad Array for ESD Protection 数据手册 NUP4108W5是半导体元器件公司生产的一款低电容四合阵列ESD保护器，适用于各种需要瞬态过压保护的应用场景，如计算机、打印机、商务机、通信系统、医疗设备等。该器件使用SC-88A SMT封装，具有小尺寸、低功耗、低电容等特点。
FAIRCHILD FDS8978 说明书 FDS8978是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为7.5A，最小导通电阻为18mΩ。该器件采用高性能沟槽技术，具有极低的导通电阻、低栅极电荷、高功率和电流处理能力等特点，适用于DC/DC转换器等应用。
FAIRCHILD FDS8960C 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的双N和P沟道增强型功率场效应晶体管，采用了先进的PowerTrench工艺，旨在最小化静态电阻并保持卓越的开关性能。这些器件非常适用于低压和电池供电应用，需要低线损耗和快速开关速度。
FAIRCHILD FDS8958B 说明书 该文档介绍了2008年12月发布的FDS8958B型号的双N&P沟道PowerTrench® MOSFET产品。该产品具有低电压和电池供电应用的特点，具有低电阻和快速切换的性能。
FAIRCHILD FDS8949 说明书 FDS8949是Fairchild Semiconductor生产的双N通道逻辑级PowerTrench® MOSFET，具有极低的导通电阻和出色的开关性能。该器件适用于低压和电池供电应用，在这些应用中需要低的线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDS8935 说明书 该文件介绍了FDS8935双P通道PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的沟道技术、高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流器应用。
FAIRCHILD FDS8928A 说明书 这份文件介绍了1998年7月生产的FDS8928A双N和P通道增强型场效应晶体管的特点和特性。该产品采用了高密度DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关性能和抗干扰等特点，适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
