飞利浦 2N7002E 数据手册 该文件介绍了一种N沟道增强模式场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS™技术并封装在塑料包装中。该产品具有逻辑电平阈值兼容、非常快速的开关速度等特点，适用于逻辑电平转换器、高速线路驱动器等应用。
飞利浦 2N7002F 数据手册 2N7002F是一款使用TrenchMOS™技术的N沟道增强型场效应晶体管，适用于中速开关应用。其特点是采用了TrenchMOS™技术，具有非常快的开关速度，与逻辑电平兼容，并采用了超小尺寸的表面贴装封装。
Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K 说明书 该文档描述了Vishay Siliconix SPICE Device Model 2N7002K N-Channel 60-V (D-S) MOSFET的特性和特点，包括N-Channel Vertical DMOS结构、Level 3 MOS模型、适用于线性和开关应用、温度范围广等。同时，该文档也介绍了该器件的子电路模型原理和参数优化方法。
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002L是Semiconductor Components Industries, LLC生产的一种小信号N通道MOSFET，其最大额定电压为60 V，最大额定电流为115 mA，封装形式为SOT-23。
L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002LT1 是LESHAN RADIO公司生产的N通道SOT-23封装的MOSFET, 其最大漏源电压为60V, 最大漏源电流为115mA, 最大栅源电压为40V, 最大总耗散功率为225mW。
FAIRCHILD 2N7002MTF 说明书 该文件介绍了2N7002MTF产品的特点特性，包括较低的RDS(on)，提高的感应耐用性，快速的开关时间，较低的输入电容，扩展的安全工作区域以及改进的高温可靠性。
FAIRCHILD FQA170N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 该文件是关于FQA170N06的datasheet，该产品是一款N-Channel enhancement mode power field effect transistors，具有低gate charge, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, improved dv/dt capability, 175°C maximum junction temperature rating等特点。
DIODES 2N7002T N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002T是N通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电、超小表面贴装封装等特点。
DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002V/VA是双N通道增强型场效应晶体管，具有低开关电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装等特点
DIODES 2N7002V/VA DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书 2N7002V/VA 是双 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏、超小表面贴装封装和无铅设计/ RoHS 兼容等特点。
DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1) 该文件介绍了2N7002W N-沟道增强型场效应晶体管的特点，包括低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度等。
DIODES 2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR 说明书(1) 2N7002W 是 N 通道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门限电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 2N7007 说明书 2N7007是Supertex生产的一种N沟道增强型垂直DMOS FET，具有高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度等特性，适用于各种开关和放大应用场合。
FAIRCHILD 2N7051 数据手册 该文件介绍了2N7051 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。它包括了集电极-发射极电压、集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极电流、存储温度等参数。
FAIRCHILD 2N7052/2N7053/NZT7053 数据手册 2N7052 / 2N7053 / NZT7053是一种NPN达林顿晶体管，适用于需要极高增益和高击穿电压的应用。它可以承受1.0A的集电极电流。
SEME LAB 2N7081–220M–ISO 数据手册 2N7081–220M–ISO是Semilab plc生产的一款N沟道功率MOSFET，其特点是TO–220绝缘罐式封装、低RDS(ON)、简单的驱动要求。
FAIRCHILD FQA70N10 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International所生产的FQA70N10 N-Channel MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、卓越的开关性能和能够承受高能量脉冲的能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
