IXYS IXGH 16N170A IXGT 16N170A 数据手册 本文介绍了IXYS的产品特点和特性，包括高电流处理能力、MOS门极转换的简易性、坚固的NPT结构等。适用于电容器放电和脉冲电路、交流电机调速控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源、开关模式和谐振模式电源等应用。
HAYWARD IS2700 OWNER’S MANUAL 本使用说明书介绍了Hayward Max-Flo II™泵系列，该系列泵采用先进技术，自吸式设计，性能稳定可靠，具有耐腐蚀的结构，适用于各种类型和尺寸的泳池。
GlobalMap 7000C Mapping GPS Receiver Operation Instructions 该文件是Lowrance Electronics, Inc.发布的GlobalMap 7000C Mapping GPS Receiver操作说明，介绍了产品的特点和特性。
FAIRCHILD 2N7000BU/2N7000TA 说明书 该文件介绍了2N7000BU/2N7000TA产品的特点和特性，包括快速开关时间、改进的电感耐压能力、较低的输入电容、扩展的安全工作区域和改进的高温可靠性。
FAIRCHILD 2N7002DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002DW是一种双N沟道增强模式场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速切换速度、低输入/输出泄漏等特点。它采用超小尺寸表面贴装封装，符合无铅/ROHS标准。
FAIRCHILD 2N7002K N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002K是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N型增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低栅极阈值电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小型表面贴装封装等特点。
FAIRCHILD 2N7002KW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 2N7002KW是一种N沟道增强型场效应晶体管，具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出漏电流等特点。该产品采用超小型表面贴装封装，符合无铅/RoHS标准。
FAIRCHILD 2N7002MTF Advanced Small Signal MOSFET 数据手册 2N7002MTF 是一款N通道小信号MOSFET，其最大导通电阻为5.0 欧姆，额定电压为60V，额定电流为200mA。它具有较低的导通电阻、改进的感应坚韧性、快速的开关时间、较低的输入电容、扩展的安全工作区和改进的高温可靠性。
FAIRCHILD 2N7002W 说明书 2N7002W 是 Fairchild Semiconductor 生产的 N 型增强型场效应晶体管。该晶体管具有低导通电阻、低门阈电压、低输入电容、快速开关速度、低输入/输出泄漏和超小表面贴装封装。它符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD AN-7012 FPF2100/7 Evaluation Board User’s Guide 该文档是AN-7012 FPF2100/7评估板用户指南。介绍了该评估板的描述、评估套件内容、规格以及测试结果。评估板用于评估Fairchild Semiconductor FPF2100/1/2/3/4/5/6/7智能负载开关系列的性能。该系列产品具有控制开启、快速关闭、热关断、欠压锁定和过流保护等特点。
FAIRCHILD AN-7008 FPF200X Evaluation Module 说明书 FPF200X EVM 是 Fairchild Semiconductor FPF2000 智能负载开关系列的评估模块。FPF200X 系列是一款 0.7 欧姆 PMOS 负载开关，具有受控的开启、快速关闭和电流限制。在 1.8V 至 5.5V 的输入电压范围内，电流限制可保证为 50mA 和 100mA。评估模块具有测试点，方便访问所有引脚和跳线，用于设置各种负载条件，以及用于切换 ON/OFF 并配置 ON 引脚极性的开关。该电路板可以作为一个独立单元，配有 1.8-5.5V 电池，用于测试基本功能。
FAIRCHILD FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 说明书 FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 是N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为60 V，额定电流为80 A，典型导通电阻为7mΩ。
FAIRCHILD FDA70N20 说明书 FDA70N20 200V N-Channel MOSFET是一款低阻抗、高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专利平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，适用于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDP7030BL/FDB7030BL 说明书 这是一份关于FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品针对使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，旨在提高整体效率。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，相比具有相似RDS(ON)规格的其他MOSFET，更容易且更安全地驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它经过优化，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。
FAIRCHILD FDP6670AL/FDB6670AL 说明书 这是一份关于FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品是为了提高直流/直流转换器的效率而设计的，可用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和安全驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
FAIRCHILD FDD3706/FDU3706 说明书 FDD3706/FDU3706是Fairchild Semiconductor Corp.推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度等特点，适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用
