Integrated Device Technology, Inc IDT54/74FCT623T/AT/CT Data Sheet IDT54/74FCT623T/AT/CT 是高速CMOS八路总线收发器，具有3态总线驱动输出，可用于异步双向数据总线通信
VISHAY 1N4678...1N4717 Data Sheet 该文档介绍了 Vishay Telefunken 公司的 1N4678 和 1N4717 型号的硅外延平面 Zener 二极管的特点和特性，包括在不同电流下规定的 Zener 电压、最大 Delta VZ、非常高的稳定性和低噪音等。该产品主要用于电压稳定。
VISHAY 2322 671 91... Data Sheet 该文件介绍了PTC热敏电阻器的特点和特性，主要用于温度保护。它具有明确的保护温度级别、非常快的反应时间、精确的电阻以便于电路设计、优秀的长期性能、广泛的保护温度范围等特点。
MICROCHIP 28C16A 数据手册 该文件介绍了Microchip Technology Inc.的28C16A产品的特点和特性，包括快速读取存取时间、低功耗、快速字节写入时间、数据保持时间长、高耐用性等。
NEC MOS INTEGRATED CIRCUIT UPD45128441, 45128841, 45128163 Data Sheet 该数据表介绍了µPD45128441, 45128841, 45128163 128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL 的特点特性
Integrated Device Technology, Inc IDT74fst163213 Data Sheet IDT公司的产品特点包括：提供零延迟路径的总线开关，扩展商业温度范围为-40°C至+85°C，低开关导通电阻，TTL兼容的输入和输出电平，ESD保护等。
FAIRCHILD ILC5061 数据手册 ILC5061是一款由Fairchild制造的3引脚SOT-23或SC70封装的开漏复位输出器件，具有±1%精确的复位检测，1µA的Iq和2mA的吸收电流能力。
lnternational IOR Rectifier IRF640S/L 数据手册 IRF640S/L HEXFET® Power MOSFET 是一种低阻抗、快速开关、高耐压、高温的第三代 HEXFET® 器件，可在 150°C 的操作温度下进行动态 dv/dt 评级。该器件采用 D2Pak 封装，具有最大功率能力和最低可能的导通电阻。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大 HEX-4 尺寸的裸片。
LINFINITY SG1626/SG2626/SG3626 数据手册 该文件介绍了SG1626/SG2626/SG3626产品的特点和特性，包括与其他型号的兼容性、输出能力、工作电压范围、上升和下降时间、传播延迟等。该产品采用高压肖特基逻辑将TTL信号转换为高速输出，适用于驱动功率MOSFET和其他大容性负载的高速切换。
lnfineon BAW56 数据手册 该数据表格主要提供BAW56S的最大额定值，电气特性等信息。BAW56S是安森美半导体生产的一种硅开关二极管，具有高转换速度和双共阳极配置。最大额定值包括反向电压、峰值反向电压、正向电流、冲击正向电流、总功耗、结温和储存温度。电气特性包括击穿电压、反向电流、正向电压等。
lnfineon BB669/BB689... 数据手册 BB669/BB689是飞利浦公司生产的二极管产品，它具有非常高的电容比和低的电阻，适用于2-Band-hyperband-TV-tuners等领域。
intersil FSL9130D, FSL9130R 5A, -100V, 0.680 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs 数据手册 该文件介绍了一系列辐射硬化MOSFET器件，特别适用于商业和军事空间应用。这些器件具有增强的功率MOSFET对单事件效应（SEE）的抗干扰能力，特别是对单事件门极破裂（SEGR）具有较高的免疫力。同时，它们还具有100K RADS的总剂量硬化性能，适用于恶劣的太空环境。这些器件还具有军事应用所需的剂量率和中子容忍度。
OKi Semiconductor OD9601N (1.25 Gbps) OD9602N (622 Mbps) OD9604N (2.488 Gbps) + 3.3-V Photo Diode Preamp Modules Oki Semiconductor的OD9601N, OD9602N, 和OD9604N PD Preamp Module Family是表面贴装的1.3-µm, InGaAs PIN光电二极管与传输阻抗放大器相结合的器件。OD9601N在STM4/OC12/OC24环境中工作在1.25 Gbps。OD9602N在STM4/OC12环境中工作在622 Mbps。OD9604N在STM16/OC48环境中工作在2.488 Gbps。这些光电二极管预放大器模块通过引线与单模光纤连接。
ISSI IS42S81600A, IS42S16800A, IS42S32400A 数据手册 ISSI 128Mb Synchronous DRAM 具有高时钟速率和高数据传输率，工作频率为 166,143,100 MHz，工作电压为 3.3V，支持 LVTTL 接口，具有自动刷新、自刷新和可编程刷新周期等功能
