BS616LV1611是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取内存,组织形式为1,048,576字节,16位,工作电压范围为2.4V至5.5V。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗特性,典型CMOS待机电流为3.0uA,3V/25oC,最大访问时间为55ns,3.0V/85oC。通过活动低电平片选(CE1)、活动高电平片选(CE2)、活动低电平输出使能(OE)和三态输出驱动器,可实现简便的内存扩展。BS616LV1611具有自动电源关断功能,当芯片被取消选择时,电源消耗大大降低。BS616LV1611采用48针BGA封装。