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更新: 30 September, 2023
IRF640S/L HEXFET® Power MOSFET 是一种低阻抗、快速开关、高耐压、高温的第三代 HEXFET® 器件，可在 150°C 的操作温度下进行动态 dv/dt 评级。该器件采用 D2Pak 封装，具有最大功率能力和最低可能的导通电阻。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳最大 HEX-4 尺寸的裸片。
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MD5: 1CB180C847D40BA127857F1CC78FA4E6
发布时间: 12 June, 2012
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连接: lnternational IOR Rectifier IRF640S/L 数据手册 PDF