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HCC/HCF4514B/4515B是4-bit strobed latch和a 4 to 16 line decoder，具有inhibit control，可使所有输出被置于0或1

该文件介绍了HDSP系列显示器的特点和特性，包括外观优美、Slim字体设计、均匀照明的分割线、灰色面板提供最佳开关对比度、多种颜色可选、低电流版本可用、可选择10mm和13mm字符大小、±50°视角、适用于强光环境。

本文件中给出了BC546B/BC547B/BC548B NPN硅放大器晶体管的特性、参数及封装尺寸等信息。

该数据表提供了18:88和88:88 0.56英寸四位七段显示器的规格信息，包括外观、颜色、尺寸等

本文介绍了使用Agilent EnviroPrep柱进行样品清洗的替代性溶剂，以替代有毒的二氯甲烷。研究了几种溶剂混合物在EnviroPrep柱上的使用情况，并描述了溶剂对EPA方法中标准测试混合物洗脱的影响。

这份用户手册介绍了HMS87C1808B/16B HMS87C1708B/16B HMS87C1608B/16B HMS87C1508B/16B HMS87C1404B/08B/16B的特点特性、开发工具、订购信息等

HN58V65AI/HN58V66AI/HN58V65A-SR/HN58V66A-SR系列是一种高速度、低功耗、高可靠性的64K EEPROM。采用先进的MNOS存储器技术和CMOS工艺和电路技术，并具有64字节页面编程功能，使写操作更快。

HPI-6FGR4是一种高输出、高速硅光电二极管，采用侧视塑料封装，带有可见光截止滤波器。该光电二极管既紧凑又易于安装。

该文件介绍了IDT公司生产的DSC-5279/03 1型号的高速SRAM存储器，支持128K x 36和256K x 18的存储配置，具有高速系统访问时间，支持交错和线性突发模式，具有自定时写周期和全局写控制，适用于商业和工业应用，采用3.3V供电。

IDT71T016是一款64K x 16的非常低功耗静态RAM，采用IDT的高可靠性CMOS技术制造。它具有广泛的工作电压范围，速度等级可选，低功耗和低压数据保持特性。适用于非规则电池供电应用。

该文件为英文产品说明书，介绍了该产品的安全使用注意事项。

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本手册描述了产品的使用说明

本文介绍了使用GTA-96石墨管原子化器测定棕榈油样品中痕量金属的方法。

ISL6524是一款集成了PWM控制器和三个线性控制器的电源控制和保护芯片。它可以为高性能微处理器和计算机应用提供四个输出电压的控制和保护功能。该芯片集成了一个PWM控制器和三个线性控制器，以及监测和保护功能。PWM控制器通过同步整流降压转换器来调节微处理器核心电压。一个线性控制器为计算机系统的AGTL+ 1.2V总线供电。另外两个线性控制器分别调节1.5V AGP总线和芯片组核心电压和/或缓存存储电路的1.8V电压。ISL6524包括一个与Intel VRM8.5兼容的TTL 5输入数字模拟转换器(DAC)，可以以25mV步长调整微处理器核心PWM输出电压，范围从1.050V到1.825V。线性稳压器使用外部N沟道MOSFET或双极NPN通道晶体管来提供固定的1.2V±3%、1.5V±3%和1.8V±3%的输出电压。ISL6524监测所有的输出电压，并在核心PWM开始逐渐上升之前发出延迟上升的VTT(VOUT2输出)电源好信号。当核心电压达到DAC设置值的±10%，且所有其他输出电压都高于其欠压水平时，发出另一个系统电源好信号。该芯片还具有内置的过压保护功能。

这是一份关于产品的介绍文档，介绍了产品的各种特点和特性，包括品牌、型号、功效、适用人群等信息。

This is a technical specification document for 512Mb C-die DDR SDRAM 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

K4M56323LE是一种同步高数据速率动态RAM，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。它具有多种特性和功能，包括LVCMOS兼容、四个银行操作、MRS循环和EMRS循环等。