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更新: 30 September, 2023
BS616LV1611是一款高性能、超低功耗CMOS静态随机存取内存，组织形式为1,048,576字节，16位，工作电压范围为2.4V至5.5V。先进的CMOS技术和电路技术提供高速度和低功耗特性，典型CMOS待机电流为3.0uA，3V/25oC，最大访问时间为55ns，3.0V/85oC。通过活动低电平片选(CE1)、活动高电平片选(CE2)、活动低电平输出使能(OE)和三态输出驱动器，可实现简便的内存扩展。BS616LV1611具有自动电源关断功能，当芯片被取消选择时，电源消耗大大降低。BS616LV1611采用48针BGA封装。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: B9C0586715D409811F8364096F2600C3
发布时间: 12 June, 2012
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连接: BSI BS616LV1611 DATA SHEET PDF