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更新: 28 September, 2023
K4M56323LE是一种同步高数据速率动态RAM，采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。它具有多种特性和功能，包括LVCMOS兼容、四个银行操作、MRS循环和EMRS循环等。
文件格式: PDF
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MD5: 00351D00940AA7E58F60392B0F6B4CEE
发布时间: 12 June, 2012
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连接: 三星 K4M56323LE - M(E)E/N/S/C/L/R 数据手册 PDF