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ISL8308XE是BiCMOS，ESD保护，5V供电，单个收发器，符合RS-485和RS-422标准，用于平衡通信。每个驱动器输出和接收器输入都受到±15kV ESD击穿保护，不发生锁存。与竞争对手的产品不同，Intersil系列产品针对10%的容差电源（4.5V至5.5V）进行了规范。这些器件具有非常低的总线电流（+125µA/-75µA），因此它们向RS-485总线呈现出真正的“1/8单元负载”。这允许在网络上最多连接256个收发器，而不违反RS-485规范的32单元负载最大值，并且不需要使用中继器。例如，在远程公用事业计量器读数系统中，单个计量器读数是通过RS-485网络路由到集线器的，所以允许的节点数高，可以最小化所需的中继器数量。然后，通过单个访问端口或无线链接从集中器读取所有仪表的数据。接收器（Rx）输入采用“全故障安全”设计，如果Rx输入处于浮空、短路或终结但未驱动状态，则确保逻辑高Rx输出。ISL83080E、ISL83082E、ISL83083E和ISL83085E使用速率受限驱动器，可降低EMI，并最小化来自错误终止的传输线或多点应用中的未终止存根的反射。速率受限驱动器还可防止在发送器关闭后在RS-485线路上发生过冲。

该文件描述了某个产品的特点和特性。

1N6626是Siliconix的肖特基二极管，该二极管具有高速恢复时间和低功耗特性，适用于各种开关电源和逆变器电路。

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K4S641633H是三星生产的一种移动内存芯片，它采用同步设计，可提供精确的时钟控制，并且支持范围广泛的操作频率、可编程突发长度和可编程延迟。它可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。

KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。

该文件介绍了韩国三星电子有限公司推出的KS88C4616/C4632系列单片8位CMOS微控制器的特点和特性。该系列微控制器具有快速高效的CPU、多种集成外设和可编程ROM等特点。

308 VWI 20-06P1 是一款 NPT IGBT 和 FRED 二极管组成的六管模块，适用于交流驱动和功率因数校正等应用。

该产品是一款1A低压差CMOS线性稳压器，采用陶瓷输出电容，具有2.5%的精确参考电压、极低的压差电压（450mV@1A负载电流，VOUT=5V）和优异的AC性能。

LTC1562-2是一款低噪声、低失真的连续时间滤波器，具有轨到轨输入和输出，适用于中心频率为20kHz至300kHz。它不需要时钟信号。该滤波器由四个独立的二阶滤波器模块组成，可以以任意组合级联，例如一个8阶或两个4阶滤波器。每个模块的响应可以通过三个外部电阻进行编程，用于设置中心频率、Q值和增益，使用简单的设计公式。每个二阶模块提供低通和带通输出。如果使用外部电容替换其中一个电阻，还可以实现高通响应。还可以实现全通、陷波和椭圆响应。LTC1562-2设计用于需要动态范围的应用。例如，通过成对级联二阶模块，用户可以将该集成电路配置为单个5V电源下具有90dB信噪比的双四阶巴特沃斯低通滤波器。低电平信号可以利用LTC1562-2的内置增益能力。通过改变一个模块的增益，可以实现高达114dB的动态范围，使用±5V电源。可以根据请求提供其他截止频率范围，请联系LTC营销部。LTC、LT是Linear Technology Corporation的注册商标。

该数据手册提供了LTC2293/LTC2292/LTC2291的详细信息，包括产品特点、应用、典型应用、规格、封装等。

M29F160BT和M29F160BB是两款单电源闪存，可在5V±10%电压下进行编程、擦除和读取操作。它们具有55ns的访问时间，8微秒的字节/字编程时间，35个存储块（1个引导块（顶部或底部位置）和2个参数和32个主块），内置的字节/字编程算法、内置的多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停、解锁旁路编程命令、更快的生产/批量编程、临时块解保护模式、待机和自动待机、100,000个块编程/擦除周期、20年数据保留（缺陷率低于1 ppm/年）和电子签名（制造商代码：0020h，顶部设备代码M29F160BT：22CCh，底部设备代码M29F160BB：224Bh）。

该文档介绍了M29F016B 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory的特点和特性，包括单一供电电压、访问时间、编程时间、内存块、程序/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、临时块解锁模式、解锁旁路编程命令、低功耗、寿命、电子签名等。

Samsung M366S1723DTS PC133/PC100 Unbuffered DIMM 是一款16M 位 x 64 同步动态随机存储器高密度内存模块。

M36W832TE, M36W832BE是32 Mbit (2 Mb x16, Boot Block) Flash Memory和8 Mbit (512Kb x16) SRAM的组合产品。

ITT Cannon 1.6/5.6 RF 同轴连接器适用于75欧姆通信系统

M470L1624FT0-C(L)B3/A2/B0 是三星推出的一款 128MB 的 DDR SDRAM SODIMM 内存条，它使用 256Mb F-die 芯片，支持 64 位和 72 位数据宽度，频率为 133MHz 和 166MHz，时序为 2.5-3-3 和 2.5-3-3。

M48Z58/58Y ZEROPOWER® RAM是一款8K x 8非易失性静态RAM，它在单个晶片上集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片采用两种特殊封装，可提供高度集成的备有电池的存储器解决方案。

该文档介绍了M95640和M95320两种型号的串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟和多种特性。它们兼容SPI总线串行接口，支持单一供电电压，具有可调节的读写保护、字节和页写入功能，以及自定时编程周期等特点。此外，它们还具有增强的ESD保护能力、超过100,000或1,000,000次的擦除/写入循环寿命以及超过40年的数据保留能力。