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更新: 30 September, 2023
KM416C4000C 和 KM416C4100C 是两个 CMOS DRAM 芯片，它们都是 4Mx16 位 Fast Page Mode DRAM，具有高速随机访问内存单元的能力。它们的刷新周期（4K Ref. 或 8K Ref.）和访问时间（-5 或 -6）都是可选的，并且它们都具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。这些芯片使用 Samsung 的先进 CMOS 工艺制造，实现了高带宽、低功耗和高可靠性。
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MD5: D73DB58EC0704AF04125769969FE4DBF
发布时间: 05 June, 2012
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连接: SAMSUNG KM416C4000C,KM416C4100C CMOS DRAM 数据手册 PDF