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Vishay Industry 小型和低轮廓9W 1.5A DC/DC升压转换器具有高输出功率密度

GLT44016 256K x 16 是 G-Link 生产的一款高性能 CMOS 动态随机存取存储器，具有快速访问时间和周期时间、双 CAS 输入、低功耗消耗、读/改/写、RAS 仅刷新、CAS 前刷新、隐藏刷新和测试模式能力、512 个刷新周期 / 8 毫秒，可在 40 针 400 毫米 SOJ 和 40/44 针 TSOP(II) 中使用，单 5.0V±10% 电源供应，所有输入和输出均与 TTL 兼容，支持扩展数据输出 (EDO) 页模式操作。

GS88237AB是一种9Mb同步突发SRAM，具有高性能和低功耗的特点。它支持单/双周期取消选择，具有IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描功能。该产品适用于高性能CPU的二级缓存应用以及DSP主存和网络芯片组支持等同步SRAM应用。

本文件提供了HD14068的规格信息，包括尺寸、重量、技术要求等。

HD74HCT563/HD74HCT573是八位透明锁存器，带有三态输出。当锁存使能（LE）输入为高电平时，HD74HCT563的Q输出将跟随D输入的反相，而HD74HCT573的Q输出将跟随D输入。当锁存使能为低电平时，D输入的数据将保持在输出处，直到锁存使能再次变为高电平。当输出控制输入为高电平时，无论其他输入信号和存储元件的状态如何，所有输出都进入高阻态。

Harris Corporation的HI-5040系列CMOS模拟开关提供低阻抗开关性能，用于模拟电压高达电源轨道和信号电流高达80mA。

该文件介绍了HIT667的特点和特性，它是一种低频功率放大器，与HIT647互补配对。

HJ6668是一种用于通用放大器和开关应用的PNP外延平面晶体管。

HM5118165是Hitachi生产的16M EDO DRAM，采用0.5um CMOS技术，提供50ns/60ns/70ns的访问时间，1024个刷新周期，16ms的刷新时间。

HM62256B系列是Hitachi公司的一款CMOS静态RAM，组织方式为32,768-word × 8-bit，采用0.8 µm Hi-CMOS工艺技术，具有高性能和低功耗特点。该系列产品采用8 × 14 mm TSOP、8 × 13.4 mm TSOP、450 mil SOP、600 mil塑料DIP或300 mil塑料DIP封装，适用于高密度安装。该系列产品具有低功耗待机功耗，因此适用于电池备份系统。

32Kx8辐射硬化ROM是一款高性能32768字x8位只读存储器，具有行业标准功能。它采用霍尼韦尔的辐射硬化技术制造，专为在辐射环境中运行的系统而设计。ROM可在整个军用温度范围内工作，仅需单一5V ± 10%电源。ROM可提供TTL或CMOS兼容I/O。在正常运行时，功耗通常低于15 mW/MHz，在未选中时低于5 mW。ROM操作是完全异步的，其典型访问时间为14ns。霍尼韦尔增强的SOI RICMOS™IV（辐射不敏感CMOS）技术通过使用先进和专有的设计、布局和工艺硬化技术进行了辐射硬化。RICMOS™IV工艺是一项5伏特、SIMOX CMOS工艺，具有150Å栅氧化物和0.75µm（0.6µm有效栅长——Leff）的最小绘制特征尺寸。其他功能包括钨通孔、霍尼韦尔专有的SHARP平面化工艺以及轻掺杂漏极（LDD）结构，以提高短沟道可靠性。

ICS85356I 2:1, 差分到3.3V双LVPECL / ECL时钟多路复用器是一款高速差分多路复用器。该器件可以配置为2:1多路复用器。双3.3V LVPECL输出。可选择差分CLKxx、nCLKxx输入。CLKxx、nCLKxx对可以接受以下输入类型：LVPECL、LVDS、LVHSTL、SSTL和HCSL。ICS85356I可以因此用作差分转换器，将几乎任何差分输入类型转换为LVPECL。它还可以通过将VCC设置为0V并将VEE设置为-3.0V至-3.8V来在ECL模式下使用。ICS85356I对输入时钟添加了可忽略的抖动，并且可以以高于900MHz的高频率运行，因此非常适合用于如SONET、Fibre Channel、1千兆/10千兆以太网等苛刻的应用。

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IDT6116SA/LA是IDT公司生产的高性能静态随机存储器，采用CMOS工艺制造，具有快速访问和低功耗特性。该产品具有军用和商业温度范围，并符合MIL-STD-833，Class B标准。

这份文件是Integrated Device Technology, Inc. 公司于2003年11月发布的DSC-5632/3的功能块图，包括忙和中断标志、片上端口仲裁逻辑、端口之间信号灯完全硬件支持、端口完全异步操作、独立字节控制、双端口存储单元、高性能和高可靠性等特性。

该文件介绍了IDT72261LA和IDT72271LA两款CMOS SuperSync FIFO的特点和特性，包括内存组织、读写周期时间、数据延迟时间、低功耗模式、复位功能、数据状态标志等。

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该文档介绍了IDT公司的产品特点和特性，包括高性能64位微处理器、单双精度浮点运算单元、高速缓存、灵活的总线接口等。

IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor 是德州仪器的产品，具有很低的导通电阻、优异的热阻等特点。

ISL6523A是ISL公司生产的一款电源控制器芯片，该芯片集成了两个PWM控制器和两个线性控制器，以及监控和保护功能，主要用于高性能微处理器和计算机应用中。ISL6523A可以为四路输出电压提供电源控制和保护，其中一个PWM控制器通过同步整流降压转换器来调节微处理器核心电压，第二个PWM控制器通过标准降压转换器来为计算机系统的AGTL+ 1.2V总线供电，线性控制器则用于调节1.5V AGP总线和1.8V的芯片组核心电压和/或缓存存储电路的电源。ISL6523A还包括一个兼容英特尔VRM8.5的TTL 5输入数字-模拟转换器（DAC），用于调整微处理器核心目标的PWM输出电压，从1.050V到1.825V，步进25mV。精密参考和电压模式控制可提供±1%的静态调节。第二个PWM控制器的输出提供1.2V的电压水平，精度为±3%。线性调节器使用外部N通道MOSFET或双极NPN开关晶体管来提供固定的输出电压1.5V ±3%（VOUT3）和1.8V ±3%（VOUT4）。ISL6523A监控所有输出电压。在核心PWM开始增益之前，会发出一个延迟升高的VTT（标准降压输出）电源良好信号。当核心处于DAC设置的±10%范围内并且所有输出电压都正常时，还会发出另一个系统电源良好信号。