Search Manuals

该文件介绍了Am28F256A闪存的特点和特性，包括高性能、低功耗、兼容JEDEC标准等。

Am29LV320MT/B是AMD公司生产的一款32兆位，3.0伏特的Boot Sector Flash Memory，其特点包括单电源操作、3V的读、擦除和编程操作、0.23微米MirrorBit工艺技术、SecSi（Secured Silicon）Sector区域、灵活的扇区架构、JEDEC标准兼容性、最低100000个擦除周期保证和20年数据保留在125°C

AS7C1026/AS7C31026是5V/3.3V 64K×16 CMOS SRAM，具有65,536 words x 16 bits的存储容量，支持CE、OE输入扩展内存。高时钟频率和低功耗是其主要特点。

该文档介绍了Alliance Semiconductor的AS7C34096A 3.3V 512K × 8 CMOS SRAM产品的特点和特性，包括工业和商业温度范围、高速访问时间、低功耗、易于扩展等。

AS7C4096A 5.0V 512K × 8 CMOS SRAM 是Alliance Semiconductor 推出的一种高性能、低功耗、高可靠性 SRAM 产品。该产品具有中心供电和接地引脚、等待模式、低功耗和高速度等特点。

该文档介绍了ACX Advanced Ceramic X AT3216系列多层芯片天线的特点特性，包括尺寸、频率范围、增益、VSWR、阻抗等。

AT93C46/56/57/66 3-Wire Serial CMOS E2PROMs 1K (128 x 8 or 64 x 16) 2K (256 x 8 or 128 x 16) 4K (512 x 8 or 256 x 16) features low voltage and standard voltage operation, user selectable internal organization, 3-wire serial interface, 2 MHz clock rate (5V) compatibility, self-timed write cycle (10 ms max), high reliability endurance: 1 million cycles data retention: 100 years, automotive grade and extended temperature devices available, 8-pin PDIP, JEDEC SOIC, and EIAJ SOIC packages.

该文件介绍了一种具有高度可调性和低噪声的射频放大器。其具有双电源控制、参考电压、输入和输出端口以及负载调节功能。该产品适用于广泛的射频应用。

BAS16W, BAS19W, BAS20W, BAS21W 是COMCHIP公司的高导电性表面贴装开关二极管，工作电压范围为75-200伏，功率为200毫瓦，开关速度快，非常适合自动插入。

BUK436W-200A/B是一款功率MOS晶体管，广泛应用于开关模式电源、电动机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等领域。它具有200V的漏源电压、19A的漏电流、125W的总功率耗散和0.16-0.2Ω的漏源导通电阻。

BUL56A是SEME Semelab plc.出品的NPN硅功率晶体管，具有高压、高速度、高能量等特点，适用于电子镇流器等应用场景。

1

该文档介绍了Harris Semiconductor SCHS154D所提供的数据表。其中CD54HCT161已经过时不再供应。该产品具有4位二进制计数器、异步复位、同步计数和加载、两个计数使能输入、高速计数的前瞻进位等特点。

该数据表格列出了Central Semiconductor Corp. TM 116系列齐纳二极管的各种型号、测试电流、最大直流电流、电压和电阻等参数信息。

这是一份关于索尼 CXA2067S 的产品手册

Agilent 1260 Infinity 自动注射器用户手册

CY7C1021BV是一种高性能的CMOS静态RAM，按照65,536个字16位的方式组织。该设备具有自动断电功能，在取消选择时显著降低功耗。通过将芯片使能(CE)和写使能(WE)输入置为低电平来对该设备进行写入。如果字节低使能(BLE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O1到I/O8)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。如果字节高使能(BHE)为低电平，则来自I/O引脚(I/O9到I/O16)的数据将被写入到地址引脚(A0到A15)指定的位置。通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)置为低电平，同时将写使能(WE)置为高电平来从该设备中读取数据。如果字节低使能(BLE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O1到I/O8上。如果字节高使能(BHE)为低电平，则从地址引脚指定的内存位置的数据将出现在I/O9到I/O16上。

CY7C1366B/CY7C1367B 9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM 是 Cypress Semiconductor Corporation 推出的一款高性能同步 SRAM 芯片，其特点是支持 225 MHz 的高速数据传输速率，并提供多种封装形式，包括 JEDEC-standard 100-pin TQFP、119-ball BGA 和 165-Ball fBGA 等，可满足不同应用场景的需求。

该数据表介绍了D2570, D2526, D2555波长选择直接调制隔离DFB激光模块的特性

该数据表提供了关于 IXYS DGSK 36-03CS 二极管的产品信息，包括封装、技术参数、应用场景等。