FAIRCHILD FDMC2610 说明书 FDMC2610 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款功率管理MOSFET,最大电压200V,最大电流9.5A,最大电阻200mΩ,具有低外形和RoHS认证。
1SMA5926 THRU 1SMA5945 Surface Mount Silicon Zener Diode 说明书 1SMA5926-1SMA5945 是1.5瓦功率的表面贴装硅稳压二极管,电压范围为11至68伏特。
FAIRCHILD FDMS2672 说明书 FDMS2672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款200V、20A、77mΩ的MOSFET。该器件具有低Rds(on)、低ESR、低总谐波失真和Miller门极电荷等特点,适用于高频DC/DC转换应用。
FAIRCHILD FDMS3626S 说明书 FDMS3626S PowerTrench® Power Stage 25V Asymmetric Dual N-Channel MOSFET是一款双PQFN封装的N沟道MOSFET,具有低内阻和高转换效率的特点。该器件适用于计算、通信、通用点负载和笔记本电脑等应用。
FAIRCHILD FDMS8026S 数据手册 FDMS8026S是一款N通道PowerTrench® SyncFETTM功率MOSFET,工作电压为30V,最大漏源电阻为4.3mΩ,最大漏源电阻为5.2mΩ。该产品采用先进的封装和硅组合技术,可实现低漏源电阻和高效率。此外,它还具有高效的单片式肖特基二极管。适用于直流/直流转换器的同步整流器、笔记本电脑的Vcore/GPU低侧开关、网络点对点低侧开关和电信的二次侧整流。
FAIRCHILD FDP26N40/FDPF26N40 N-Channel MOSFET 数据手册 FDP26N40 / FDPF26N40 N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款产品,其额定电压为400V,额定电流为26A,导通电阻为0.16欧姆。该产品具有低栅极电荷、低反向电容、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FDP2614 200V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDP2614是一款200V N通道功率MOSFET,由Fairchild Semiconductor生产。其特点是低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度。该产品适用于PDP应用。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10026JLL 数据手册 该文件介绍了一个型号为APT10026JLL的产品的特点和特性,包括漏-源击穿电压、开关状态漏电流、漏-源开态电阻、零栅极电流等参数。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10026JN 数据手册 该文件介绍了N-通道增强模式高压功率MOSFETs的特性和参数。产品型号为APT10026JN,品牌为Power MOS IV®。该MOSFET具有1000V的漏源电压、33A的连续漏极电流和0.26Ω的漏源电阻。
MasterTemp Max-E-Therm POOL HEATERS BYPASS ACCESS PLUG KIT (472648Z) INSTRUCTIONS 该文件包含了关于Pentair Water Pool and Spa公司生产的MasterTemp和Max-E-Therm池加热器的安装和维护指南。使用者必须遵循所有的安全指示以避免火灾、爆炸或一氧化碳中毒等危险。同时,该文件提供了ASME模型的旁通访问插头套件的安装说明。
ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT12045L2VR 1200V 26A 0.450W 数据手册 APT12045L2VR is a 1200V 26A 0.450� N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
FAIRCHILD FDS2670 说明书 这是一份关于FDS2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET的文档。该MOSFET采用高性能槽沟技术,具有低RDS(ON)、低门电荷、快速开关速度和高功率处理能力等特点。该产品专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计,适用于同步或传统开关PWM控制器。通过使用这款MOSFET,可以实现更高的驱动安全性和效率。