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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了N-通道增强模式高压功率MOSFETs的特性和参数。产品型号为APT10026JN，品牌为Power MOS IV®。该MOSFET具有1000V的漏源电压、33A的连续漏极电流和0.26Ω的漏源电阻。
文件格式: PDF
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MD5: 107B20A33D04B7CCACA77B9E83414099
发布时间: 11 July, 2012
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连接: ADVANCED POWER TECHNOLOGY APT10026JN 数据手册 PDF