26-GBVLP/26-GBVNG/60-SHBVLP/60-SHBVNG/60-TRBVLP/60-TRBVNG INSTALLATION & OPERATION MANUAL 该文件是一份安装和操作手册，介绍了26-GBVLP、26-GBVNG、60-SHBVLP、60-SHBVNG和60-TRBVNG等型号的通风式炉具的安装和操作方法。该炉具需要4英寸的B-VENT燃气管道，并需要与易燃物保持一英寸的间隔。该炉具不适用于移动住宅或双宽住宅，并且不得安装在卧室中。使用该炉具前需要阅读安装手册，并在安装前咨询合格的安装人员或燃气公司。此外，文档中还提醒用户如果闻到燃气味道应该采取的预防措施，并强烈推荐使用烟雾探测器和一氧化碳探测器。
26-GULP/26-GUNG/60-SHULP/60-SHUNG/60-TRULP/60-TRUNG/26-GUHLP/26-GUHNG/60-SHUHLP/60-SHUHNG/60-TRUHLP/60-TRUHNG INSTALLATION AND OPERATING INSTRUCTIONS 该文档是Unvented Room Heater产品的安装和使用说明书，介绍了产品的特点特性，以及使用方法。
Allegro 3260 说明书(1) A3260是一款温度稳定性和抗应力性非常高的霍尔效应双极开关，非常适合在高温环境下使用。它通过动态偏移消除技术实现了出色的高温性能，该技术可降低通常由器件过塑、温度依赖性和热应力引起的剩余偏置电压。该器件在单个硅片上集成了稳压器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定器、施密特触发器和恒流开集电推挽输出。足够强的南极磁场会使输出关闭。集成稳压器允许该器件在3.5至24伏的供电电压下工作。通过控制输出电流斜率来限制噪声辐射。部件编号后缀的第一位字符确定了设备的工作温度范围。后缀“E–”表示-40°C至+85°C，后缀“L–”表示-40°C至+150°C。两种封装方式为大多数应用提供了磁性优化的封装。后缀“–LH”是微型SOT23W低剖面表面贴装封装，而后缀“–UA”是三引脚超微型SIP封装，用于通孔安装。
Allegro 3260 说明书(1) A3260是霍尔效应双极开关，是极其温度稳定且抗应力的产品，特别适合在-40℃至+150℃的扩展温度范围内使用。卓越的高温性能通过动态偏移消除实现，可降低通常由器件过度成型、温度依赖性和热应力引起的剩余偏移电压。该器件在一块单片硅芯片上包括电压调节器、霍尔电压发生器、小信号放大器、斩波稳定、施密特触发器和恒流开集电路输出。一个足够强的南极可以将输出关闭。板载调节器允许在3.5至24伏的电源电压下运行。噪声辐射受输出电流斜率控制的限制。零件号后缀的第一个字符确定了器件的操作温度范围；后缀‘E–’是-40°C至+85°C，而‘L–’是-40°C至+150°C。三种封装样式为大多数应用提供了磁性优化的封装。后缀‘–LH’是微型低轮廓表面贴装封装，‘–LT’是用于表面贴装应用的微型SOT-89/TO-243AA晶体管封装；而后缀‘–UA’是用于通孔安装的三引脚超微型SIP。数据表27631.50特点I 2线操作的内部电流调节器I输出斜率受控I 抗物理应力I 卓越的温度稳定性I 从未调节电源操作I Revers
OKI MR27V3266D 数据手册 MR27V3266D是一种32Mbit的一次可编程同步只读存储器，其配置可以通过/WORD引脚的状态在2,097,152 x16bit（字模式）和1,048,576 x32bit（双字模式）之间进行电气切换。MR27V3266D支持使用单个3.3V电源进行高速同步读取操作。
LOWRANCE X125, X126DF, X135, X136DF Fish-finding & Depth Sounding Sonars Operation Instruction 本手册介绍了Lowrance X125、X126DF、X135、X136DF鱼探仪的功能和规格，以及安装和使用说明。
FAIRCHILD FDB2614 说明书 FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。
VIDIKRON Plasmaview VL-26HD and VL-32HD HIGH DEFINITION FLAT PANEL LCD MONITORS Owner’s operating Manual Vidikron VL-26/VL-32 用户手册，介绍了产品的功能特点和使用说明
FAIRCHILD FDMC8026S 说明书 FDMC8026S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 30 V, 21 A, 4.4 mΩ 的 MOSFET。该器件具有低 rDS(on)、高效率、SyncFET Schottky Body Diode 和 MSL1 坚固的封装设计等特点。
FAIRCHILD FDMC2674 说明书 FDMC2674 N-Channel UltraFET Trench MOSFET是一种高效的功率转换应用元件，具有超低漏电、低ESR、低门控电荷等特点。该器件适用于高频DC到DC转换器等应用。
