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更新: 01 October, 2023
FDB52N20是一款200V的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.049Ω@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为49 nC），低Crss（典型值为66 pF），快速开关，100%雪崩测试，改进的dv/dt能力。
文件格式: PDF
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MD5: AA1340A21AF5DB6B268A277CCFB4CC58
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDB52N20 说明书 PDF