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更新: 30 September, 2023
STB21NM50N是ST公司推出的一款N沟道500V-0.15Ω-18A的MOSFET,采用第二代MDmesh技术,具有100%雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点,适用于高效率转换器。
文件格式: PDF
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MD5: 87CC0999AE01FEF2AD65A9B9CA054704
发布时间: 07 August, 2012
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连接: ST STP21NM50N/STF21NM50N/STW21NM50N/STB21NM50N/STB21NM50N-1 数据手册 PDF