该数据手册介绍了ISSI IS41C16100和IS41LV16100,这两款产品为1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存储器。它们提供一种加速周期访问方式,称为EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行1,024次随机访问,访问周期时间最短为16位字每个20ns。上、下字节的字节写控制使IS41C16100非常适合用于16位和32位宽数据总线系统。这些功能使IS41C16100和IS41LV16100非常适合高性能、高带宽、高数据吞吐量的应用场合。
IS41C16256/IS41LV16256是ICSI公司推出的一款262,144 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。该产品采用加速周期访问方式EDO Page Mode,可在单行内进行512次随机访问,访问周期时间最短为10ns每16-bit字。上下两个字节的字节写控制使IS41C16256成为16、32-bit宽数据总线系统的理想选择。这些特性使IS41C16256/IS41LV16256非常适合用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。