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更新: 30 September, 2023
本数据手册介绍了ICSI IS41C16100S和IS41LV16100S 1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存取存储器。这些器件采用了加速的周期访问方式，称为EDO页模式。EDO页模式允许在单个行中进行1,024次随机访问，访问周期时间短至每16位字节20ns。上、下字节的字节写控制使IS41C16100S适合用于16、32位宽数据总线系统。这些特性使IS41C16100Sand IS41LV16100S非常适合高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。
文件格式: PDF
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MD5: CF80586A943A7A857B1C1DB9F8422B2D
发布时间: 02 August, 2012
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连接: SI IS41C16100S IS41LV16100S 数据手册 PDF