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更新: 30 September, 2023
IS41C16256和IS41LV16256是高性能CMOS动态随机存取存储器。两款产品均提供加速周期访问EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行512次随机访问，访问周期时间短至10ns每16位字。上位和下位字节的字节写入控制使IS41C16256和IS41LV16256非常适合用于16位和32位宽数据总线系统。这些特性使IS41C16256和IS41LV1626非常适合高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。IS41C16256和IS41LV16256采用40引脚400mil SOJ和TSOP（II型）封装。
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MD5: C20EBC5B0166F21FFB6886C2D4CED1CF
发布时间: 02 August, 2012
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连接: ISSI IS41C16256 IS41LV16256 数据手册 PDF