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更新: 30 September, 2023
该数据手册介绍了ISSI IS41C16100和IS41LV16100，这两款产品为1,048,576 x 16-bit高性能CMOS动态随机存储器。它们提供一种加速周期访问方式，称为EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行1,024次随机访问，访问周期时间最短为16位字每个20ns。上、下字节的字节写控制使IS41C16100非常适合用于16位和32位宽数据总线系统。这些功能使IS41C16100和IS41LV16100非常适合高性能、高带宽、高数据吞吐量的应用场合。
文件格式: PDF
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MD5: 1F91B131E6812AFEDE8C8ECDEEA2B57C
发布时间: 02 August, 2012
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连接: ISSI IS41C16100 IS41LV16100 数据手册 PDF