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ISSI IS41C4100和IS41LV4100是1,048,576 x 4位高性能CMOS动态随机存取存储器，具有加速周期访问EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行512次随机访问，每个4位字的访问周期时间短至10ns。这些特点使IS41C4100和IS41LV4100非常适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围设备应用。