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IS41LV16100A是由ISSI公司推出的一款高性能CMOS动态随机存取存储器(DRAM)，它采用EDO页模式，具有1,024个随机访问和20ns的访问周期时间，适用于高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。