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该数据手册介绍了IS41C85120A和IS41LV85120A，它们是524,288 x 8-位高性能CMOS动态随机存取存储器。两款产品都提供加速循环访问EDO页模式。EDO页模式允许在单个行内进行512次随机访问，访问周期时间最短为10ns/8位字。Byte Write控制的上/下字节使IS41C85120A和IS41LV85120A非常适合用于16和32位宽数据总线系统。这些特性使IS41C85120A和IS41LV85120A非常适合高带宽图形、数字信号处理、高性能计算系统和外围应用。