ISSI IS61C1024 IS61C1024L 128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 说明书

ISSI IS61C1024和IS61C1024L是非常高速、低功耗、131,072字x 8位CMOS静态RAM。它们采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺结合创新的电路设计技术,提供了更高的性能和低功耗设备。该产品具有高速访问时间、低功耗和易于应用等特点。


品牌
ISSI
文件格式
PDF
发布时间
2012年5月10日
更新时间
2023年9月28日
MD5 校验值
0B6811416A85B9417191A302951D4D67
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