工业器械 - 第2644页

这是一款60A，55V，0.019 Ohm，N-Channel UltraFET Power MOSFETs，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有非常低的反向恢复时间和存储电荷，适用于功率效率要求很高的应用，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理

49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs 这是Intersil Corporation生产的N通道功率MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺，具有超低的开关电阻和超高的性能，它适用于功率转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理等应用。

该文件介绍了HUF75329D3和HUF75329D3S两款20A、55V、0.026欧姆的N-沟道UltraFET功率MOSFET。这些器件采用了创新的UltraFET工艺，具有最低的单位面积导通电阻，表现出卓越的性能。它们能够承受大能量的雪崩模式并且二极管具有很低的反向恢复时间和存储电荷。它们设计用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、电动机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池操作产品的功率管理。

该文件介绍了HUF75321P3和HUF75321S3S两款N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特点和特性。这些器件采用先进的UltraFET工艺制造，具有极低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的电压冲击，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。适用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。

这份文件介绍了HUF75321D3和HUF75321D3S两款20A、55V、0.036 Ohm的N沟道功率MOSFET。这些器件使用创新的UltraFET™工艺制造，具有最低的单位面积导通电阻，性能出色。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。这些器件适用于对功率效率要求较高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池供电产品的电源管理。

该文件介绍了HUF75309T3ST型号的产品特点和特性，是一款N-Channel功率MOSFET器件。该器件采用创新的UltraFET工艺制造，具有低电阻、高能耗和低反向恢复时间等优点，适用于需要高功率效率的应用。常用于开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池操作产品的功率管理等领域。

该文档介绍了HUF75309P3、HUF75309D3和HUF75309D3S这三种N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特性。这些器件采用了创新的UltraFET工艺制造，具有较低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有很低的反向恢复时间和储存电荷。它们适用于对功率效率要求较高的应用，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。

本文介绍了一款N-沟道超FET功率MOSFET，采用创新的UltraFET™工艺制造。该器件具有低电阻和低反向恢复时间等优异的性能，适用于功率效率要求高的应用领域。

HUF75307P3, HUF75307D3, HUF75307D3S 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs are manufactured using the innovative UltraFET™ process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. It was designed for use in applications where power efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low- voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products. Formerly developmental type TA75307.

这是一款Intersil HUF75229P3 44A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET，它采用了创新的UltraFET™工艺，具有极低的导通电阻，非常适合于要求功耗效率高的应用场合，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

该文件是由ICminer.com电子图书馆服务提供的。文件内容介绍了一种产品的特点和特性。

1

256K MPS µPort Saver EEPROM是Xicor公司推出的一款高性能EEPROM，具有25ns读取时间、10MHz的数据传输速率、低功耗、小封装等特点。

X5043, X5045是Intersil公司生产的一种4K, 512 x 8 Bit CPU Supervisor with 4K SPI EEPROM的芯片，它具有Power-on Reset Control, Watchdog Timer, Supply Voltage Supervision, and Block Lock Protect Serial EEPROM Memory等功能。

X24C00是Xicor的128位串行E2PROM，内部组织为16 x 8。该器件具有串行接口和软件协议，可在简单的两线总线上运行。Xicor E2PROMs设计和测试用于需要扩展耐久性的应用。固有数据保留时间超过100年。X24C00采用Xicor先进的CMOS浮动栅极技术制造。