工业器械 - 第2643页

FAIRCHILD HUF75531SK8 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75531SK8型号产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的电气模型、脉冲宽度曲线和UIS评级曲线。

intersil HUF75531SK8 数据手册

该文件介绍了一种名为HUF75531SK8的6A、80V、0.030 Ohm、N-Channel、UltraFET Power MOSFET产品。该产品具有超低导通电阻，支持温度补偿的PSPICE和SABER电气模型以及Spice和SABER热阻模型。文件中还包含了该产品的封装符号、峰值电流与脉宽曲线和UIS评级曲线等信息。

ZARLINK Semiconductor ZL49010/1, ZL49020/1, ZL49030/1 Wide Dynamic Range DTMF Receiver Data Sheet

ZL490xx系列是Zarlink公司推出的一款高性能DTMF接收器，它能够解码所有16个音频对并将其转换成4位二进制码。该系列产品具有AGC功能，可提供宽动态范围，适用于端到端信号传输。

FAIRCHILD HUF75345G3, HUF75345P3, HUF75345S3S 数据手册

该文档介绍了2005年生产的Fairchild Semiconductor Corporation公司的HUF75345G3、HUF75345P3、HUF75345S3S型号的N-Channel UltraFET功率MOSFET。该产品采用创新的UltraFET工艺制造，具有最低的导通电阻和出色的性能。它能够在电压过高时承受高能量，在反向恢复时间和储存电荷方面表现出很低的特性。适用于功率效率至关重要的应用领域，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携和电池驱动产品的电源管理。

ST Z04 Series Data Sheet

Z04系列是一种适用于一般交流开关应用的四安培晶闸管。它们可用于触摸灯调光器、风扇控制器、HID灯点火器等应用中。不同的门极电流灵敏度可用，使其在直接由微控制器控制时能够实现优化的性能。

intersil HUF75344G3, HUF75344P3, HUF75344S3S 数据手册

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HEWLETT PACKARD XMT5370-622 数据手册

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TOREX XC62G Series 数据手册

XC62G系列是采用CMOS和激光修整技术制造的高精度、低功耗正电压稳压器。该系列具有高输出电流、低输入输出电压差和良好的瞬态响应特性，即使在负载变化时输出也保持稳定。同时，具有高纹波抑制比，可与低功率电源噪声一起使用。CE输入使得输出可以关闭，从而降低功耗。可提供SOT-25（150mW）和SOT-89-5（500mW）封装。

FAIRCHILD HUF75343G3, HUF75343P3, HUF75343S3, HUF75343S3S 数据手册

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的HUF75343G3, HUF75343P3, HUF75343S3, HUF75343S3S型号的N-Channel UltraFET Power MOSFETs产品特点和特性。它具有低电阻、高能耐受性、低反向恢复时间和存储电荷等优点，适用于功率效率至关重要的应用领域。

TOREX XC6219 Series 数据手册

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intersil HUF75343G3, HUF75343P3, HUF75343S3S 数据手册

这些N通道功率MOSFET是使用创新的UltraFET™工艺制造的。这种先进的工艺技术实现了最低的硅面积比，从而具有出色的性能。该器件能够承受雪崩模式的高能量，二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。它被设计用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。以前是开发型号TA75343。

intersil HUF75339G3, HUF75339P3, HUF75339S3S 数据手册

这是一款75A、55V、0.012 Ohm、N通道超级MOSFET。它采用先进工艺制造，具有极低的开关电阻，在浪涌模式下可承受高能量，并具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。它适用于需要高功率效率的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品中的电源管理。

intersil HUF75337G3, HUF75337P3, HUF75337S3S 数据手册

这是一款75A, 55V, 0.014 Ohm的N-Channel UltraFET Power MOSFETs，采用创新的UltraFET™工艺制造，具有非常低的逆向恢复时间和存储电荷。

intersil HUF75333G3, HUF75333P3, HUF75333S3S 数据手册

这份文件介绍了HUF75333G3、HUF75333P3和HUF75333S3S这三款66A、55V、0.016 Ohm的N-Channel UltraFET Power MOSFETs。这些器件采用了创新的UltraFET™工艺制造，具有最低的导通电阻和出色的性能。它们能够在雪崩模式下承受高能量，二极管反向恢复时间和存储电荷非常低。这些器件适用于注重功率效率的应用，如开关稳压器、开关变换器、马达驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池驱动产品的电源管理。

FAIRCHILD HUF75332G3, HUF75332P3, HUF75332S3S 数据手册

60安培，55伏特，0.019欧姆，N通道超级FET功率MOSFET