Agilent Low-level speciated analysis of Cr(III) and Cr(VI) using LC(IC)-ICP-MS 说明书 该应用笔记介绍了使用 LC(IC)-ICP-MS 对低水平Cr(III)和Cr(VI)进行分子特征分析的方法。
intersil HUF75637P3, HUF75637S3S 数据手册 HUF75637P3, HUF75637S3S 44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET是Intersil推出的一款功率器件，具有超低导通电阻（rDS（ON）= 0.030 Ω，VGS = 10V）和高温稳定性等特点。
intersil HUF75631SK8 数据手册 该文件介绍了一种名为HUF75631SK8的N沟道超低阻抗功率MOSFET器件，特点是具有超低导通电阻和温度补偿的模拟模型，并提供了模拟和热阻抗模型。该器件具有5.5A的峰值电流和100V的漏极到源极电压。
FAIRCHILD HUF75631P3, HUF75631S3ST 数据手册 HUF75631P3, HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs，具有超低导通电阻、温度补偿的 PSPICE® 和 SABER™ 电气模型、 Spice 和 SABER 热阻抗模型等特点。
intersil HUF75631P3, HUF75631S3S 数据手册 Intersil Corporation 为33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET 提供数据手册
intersil HUF75631P3 数据手册 该文件介绍了一个名为HUF75631P3的产品，它是一款N沟道超低导通电阻的功率MOSFET。该产品具有超低导通电阻和高性能的特点，适用于各种应用场合。
FAIRCHILD HUF75623P3, HUF75623S3ST 数据手册 HUF75623P3, HUF75623S3ST是Fairchild Semiconductor Corporation生产的22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs产品，具有超低导通电阻（rDS(ON) = 0.064Ω, VGS = 10V），可用于各种电路设计。
intersil HUF75623P3 数据手册 HUF75623P3是Intersil公司生产的一款22A，100V，0.064 Ohm的N-通道UltraFET功率MOSFET，具有超低的导通电阻，可以应用于各种电力电子领域。
FAIRCHILD HUF75617D3, HUF75617D3S 数据手册 本文介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75617D3和HUF75617D3S两款UltraFET®功率MOSFET产品的特点，包括超低导通电阻、仿真模型、峰值电流与脉宽曲线、UIS评级曲线等。
FAIRCHILD HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S 数据手册 HUF75545P3, HUF75545S3, HUF75545S3S 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFET的特点：超低导通电阻 - rDS(ON) = 0.010Ω, VGS = 10V
intersil HUF75545P3, HUF75545S3S 数据手册 该文件是Intersil公司的75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET的datasheet。
intersil HUF75542P3, HUF75542S3S 数据手册 HUF75542P3, HUF75542S3S 75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs，是一款由Intersil公司生产的超低阻抗N通道功率MOSFET。其特点是具有超低开关损耗，可承受高电流和高电压。
Diotec Semiconductor DB 15-005 ... DB 15-16 Three-Phase Si-Bridge Rectifiers DB 15-005 ~ DB 15-16 是德国西门子公司生产的三相 Si 桥整流器，额定电流为 15 A，重量约 21 克。
