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这份文件介绍了HUF75321D3和HUF75321D3S两款20A、55V、0.036 Ohm的N沟道功率MOSFET。这些器件使用创新的UltraFET™工艺制造，具有最低的单位面积导通电阻，性能出色。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和存储电荷。这些器件适用于对功率效率要求较高的应用，如开关稳压器、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携和电池供电产品的电源管理。