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这些N通道功率MOSFET是使用创新的UltraFET™工艺制造的。这种先进的工艺技术实现了最低的硅面积比，从而具有出色的性能。该器件能够承受雪崩模式的高能量，二极管表现出非常低的反向恢复时间和存储电荷。它被设计用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关和便携式和电池供电产品中的电源管理。以前是开发型号TA75343。