工业器械说明书 - 第2457页

IXYS IXFH 12N100F, IXFT 12N100F 数据手册

该文件介绍了IXYS公司的HiPerRFTM功率MOSFETs产品的特点和特性，包括RF能力、低门电阻、抗击穿能力、低电感封装等。

IXYS IXFH 12N50F, IXFT 12N50F 数据手册

该文件是关于 IXYS 公司的 HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching 产品的技术信息。该产品具有 Low Qg, Low Intrinsic Rg, Low trr 等特点。

IXYS IXFH/IXFM10N100, IXFH/IXFM12N100, IXFH13N100 数据手册

本文档主要介绍了IXFH和IXFM系列产品的最大额定值、特征值、封装、应用场景等信息。

IXYS IXFH 13N50, IXFM13N50 数据手册

该文件介绍了IXYS公司生产的N沟道增强型高dv/dt，低trr，HDMOSTM系列产品的特点和特性。产品具有低RDS（on），耐压高，结构坚固等特点。适用于DC-DC转换器，不间断电源，电池充电器，开关模式和谐振模式电源等应用。

IXYS IXFB38N100Q2 数据手册

该数据表提供了IXYSEPLUS264TM(IXFB)的产品信息，包括最大额定值、特性值、特性、应用、优点等。

这是 IXFC 15N80Q 数据表。IXFC 15N80Q 是一款 Q 类 N 通道增强型击穿额定、高 dv/dt、低 Qg 的 HiPerFETTM ISOPLUS 220TM MOSFET。它具有以下特点：硅芯片直接铜键合基板 - 高功耗耗散 - 隔离安装表面 - 2500V 电气隔离 - 低漏极到标签电容 (<35pF) - 低 RDS (on) - 坚固的多晶硅栅极单元结构 - 未箝制感性开关 (UIS) 额定 - 快速固有整流器。应用领域包括 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器和 AC 电机控制。优点包括易于组装：无需螺钉或隔离箔 - 节省空间 - 高功率密度

IXYS IXFC 26N50, IXFC 24N50 数据手册

该文件介绍了IXYS的产品特点和特性，包括高功率耗散、隔离安装表面、低漏极到导体电容、低导通电阻等特点。

IXYS IXFC52N30P 数据手册

该文档介绍了 IXYS 公司的 IXFC52N30P 型号的 PolarHTTM HiPerFET 功率 MOSFET 产品的特点和特性。它具有高功率耗散、隔离安装表面、2500V 电气隔离以及低漏极对接电容等特点。

IXYS IXFC 80N10 数据手册

该文件介绍了IXYS公司的一款N-Channel Enhancement Mode高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列的HiPerFETTM MOSFET产品。该产品具有ISOPLUS220TM特性，采用硅芯片和直接铜键合基板，具有高功率耗散、隔离安装表面和2500V电气隔离等特点。此外，该产品还具有低漏极到导热片电容(<35pF)、低RDS (on)和坚固的多晶硅栅电池结构等特性。