IXYS IXFH 28N50F, IXFT 28N50F 数据手册 该文件是关于IXYS公司的HiPerRFTM Power MOSFETs F-Class产品的技术信息文档。该产品是N通道增强型击穿额定、低Qg、低内部Rg、高dV/dt、低trr的RF电源MOSFET。
IXYS IXFH 16N90Q, IXFK 16N90Q, IXFT 16N90Q 数据手册 该文档主要介绍了 IXYS 公司的 Q-Class N 沟道增强型雪崩额定低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET 产品的特点特性，包括最大额定值、特征值、封装形式、安装尺寸、典型应用电路等。
IXYS IXFH20N80Q, IXFK20N80Q, IXFT20N80Q 数据手册 IXFH20N80Q和IXFK20N80Q是IXYS公司的一款N沟道增强型雪崩额定低Qg、高dv/dt功率MOSFET。主要特点是低RDS(on)低Qg、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器、易于安装、节省空间、高功率密度。
IXYS IXFH/IXFT/IXFX14N100, IXFH/IXFT/IXFX15N100 数据手册 该文件介绍了IXYS的N沟道增强型MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、最大工作温度、最大电流等。
IXYS IXFH14N100Q2 数据手册 这份文件介绍了IXYS的HiPerFETTM功率MOSFET产品。该产品采用双金属工艺，具有低栅极电阻、国际标准封装、阻燃性能符合UL 94 V-0等特点。此外，该产品还具有低RDS(on)、低Qg、耐电压冲击和电流冲击等特性，适用于多种应用场景，如DC-DC转换器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器等。
IXYS IXFH14N80, IXFH15N80 数据手册 14N80和15N80是IXYS公司生产的高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列N沟道增强型功率MOSFET，其特点包括国际标准封装、低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、未钳制感性开关（UIS）额定、低封装电感、易于驱动和保护、快速内在整流器，应用于DC-DC转换器、同步整流器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、交流电动机控制、温度和照明控制、低压继电器等。
IXYS IXFH/IXFM10N90, IXFH/IXFM12N90, IXFH13N90 数据手册 该数据表格列出了HiPerFETTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family TO-247 AD (IXFH) TO-204 AA (IXFM)的最大额定值、特性值、封装信息等参数。
IXYS IXFH/IXFM11N80, IXFH/IXFM13N80 数据手册 IXFH/IXFM 11N80和13N80是IXYS公司的高压N沟道增强型功率MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt和低trr特性，采用TO-247和TO-204封装。
