IXYS IXFH/IXFT 68N20 IXFH/IXFT74N20 数据手册 本白皮书旨在帮助企业了解云原生技术带来的价值，并帮助企业实现从传统 IT 到云原生 IT 的转型。本白皮书从云原生技术的定义、特征、优势、应用场景和技术体系等方面进行了介绍，并对云原生技术的未来发展趋势进行了展望。
IXYS IXFH/IXFM 67 N10, IXFH/IXFM 75 N10 数据手册 HiPerFETTM 功率 MOSFET 是 N 沟道增强型，具有高 dv/dt、低 trr 和 HDMOSTM 家族。
IXYS IXFH 76 N06-11/N06-12/N07-11/N07-12 数据手册 该文件介绍了IXYS公司生产的HiPerFETTM功率MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、符号测试条件、最大电气性能参数等。
IXYS IXFH/IXFT 30N50, IXFH/IXFT 32N50 数据手册 本文档介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET产品系列，主要特点包括国际标准封装、低RDS(on)、强大的极耐高压、快速的内部二极管等。适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源等应用。
IXYS IXFH 40N50Q, IXFT 40N50Q 数据手册 IXFH/IXFT 是 IXYS 发布的一款 N 沟道增强型 MOSFET 器件，其额定电压为 500 V，额定电流为 40 A，具有低栅极电荷和电容，易于驱动，开关速度快。该器件采用国际标准封装，具有低 RDS(on)，额定为未箝位感性负载开关 (UIS)，以及 UL 94 V-0 阻燃等级的模塑环氧树脂。
IXYS IXFH 52N30Q, IXFK 52N30Q, IXFT 52N30Q 数据手册 该数据表列出了HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr Low Gate Charge and Capacitances 的特性参数。
IXYS IXFH/IXFM42N20, IXFH/IXFM/IXFT50N20, IXFH/IXFT58N20 数据手册 该文件介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET系列产品。这些产品是N沟道增强型高dv/dt、低trr、HDMOSTM系列。其特点包括国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅结构、无钳位感性开关（UIS）评级、低封装电感、易于驱动和保护、快速整流器等。适用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC切割等应用。
IXYS IXFH 22N55 数据手册 这是IXFH 22 N55的数据手册，它是一款N沟道增强型雪崩额定、高dv/dt、低trr功率MOSFET。它的最大电压为550 V，连续电流为22 A，开关时间为250 ns。
IXYS IXFH 26N50P, IXFV 26N50P, IXFV 26N50PS 数据手册 26N50P是IXYS公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大导通电流为26A，最小导通电阻为230mΩ，最大电压为500V。
IXYS IXFH/IXFT 24N50Q, IXFH/IXFT 26N50Q 数据手册 IXFH/IXFT 24N50Q 和 26N50Q 是 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 Avalanche 额定、低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET。
IXYS IXFH 26N60/IXFT 26N60/IXFK 28N60 数据手册 IXFH/IXFT IXFK是IXYS公司的N沟道增强型高dv/dt、低trr的600V功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为26A/28A，开关速度快（trr为250ns），可用于电机驱动、开关电源等应用。
