IDT IDT2309NZ ADVANCE INFORMATION 数据手册 该文档介绍了IDT2309NZ九输出3.3V时钟缓冲器的特点和特性。该缓冲器支持两个DIMM或四个SO-DIMM，并具有一个额外的输出用于反馈到外部或芯片组PLL。该缓冲器在3.3V电压下工作，输出频率可达133.33MHz。该缓冲器具有低功耗、低EMI和高驱动能力，可用于移动PC系统和台式PC系统。
IDT IDT2309A 数据手册 IDT2309A是一款3.3V零延迟时钟缓冲器，用于高频时钟分布应用。该器件具有10MHz至133MHz的工作频率，可以将一个时钟输入分布到一个包含五个输出和一个包含四个输出的输出阵列中，每个输出阵列都有单独的使能信号，输出偏斜度小于250ps，抖动小于200ps，可选标准驱动（IDT2309A-1）和高驱动（IDT2309A-1H）两种版本，无需外部RC网络，工作电压为3.3V，采用SOIC和TSSOP封装
Integrated Device Technology IDT 79R3081, 79R3081E IDT 79RV3081, 79RV3081E 数据手册 该文件是关于IDT79R3081 RISController产品的介绍，介绍了产品的特点特性，包括指令集、集成度等
IDT IDT238 数据手册 IDT2308是3.3V零延迟时钟倍增器，可用于频率范围为10MHz至133MHz的应用。IDT2308分配一个时钟输入到两个四输出阵列，并为每个输出阵列提供独立的输出使能。外部反馈(FBK)引脚用于同步输出到时钟输入。输出偏斜小于200ps，周期间抖动小于200ps。IDT2308提供了1x、2x、4x输出选项，可根据需要选择。IDT2308不需要外部RC网络，工作电压为3.3V，可选的TSSOP和SOIC封装。
IXYS IXFK33N50/IXFK35N50 数据手册 IXFK33N50 / IXFK35N50 MOSFET 是 IXYS 公司生产的一款高性能功率器件，它采用国际标准封装，具有低RDS(on)、高功率密度、易于安装等特点。
IXYS IXFK 24N120Q2 / IXFX 24N120Q2 数据手册 该文件介绍了IXYS公司于2004年生产的HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括低门极电阻、国际标准封装、UL 94 V-0级阻燃等。此外，该产品具有耐冲击能量和电流、快速内部整流器等优点。
IXYS IXFK 24N90Q / IXFX 24N90Q 数据手册 PLUS 247TM是一款单MOSFET晶圆，具有低Qg、低trr、高频开关性能。适用于DC-DC转换器、电池充电器、开关模式电源等应用。
IXYS IXFK 26N60Q/IXFX 26N60Q 数据手册 该文件是关于IXFK 26N60Q IX 型号的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Power MOSFETs的产品手册。主要特点包括低门控电荷、国际标准包装、环氧树脂满足UL 94 V-0、防火分类、低RDS（on）HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器等。
IXYS IXFK 27N80 IXFK 25N80 IXFN 27N80 IXFN 25N80 数据手册 本文件为IXYS的25N80/27N80 MOSFET的Datasheet，主要介绍了该MOSFET的特点特性，应用场景和优势。
IXYS IXFK 27N80Q IXFR 27N80Q IXFX 27N80Q 数据手册 该文件介绍了IXYS公司的PLUS 247TM (IXFX)和TO-264 AA (IXFK)型号的HiPerFETTM功率MOSFET，这些产品具有低Qg、高dV/dt、低trr等特点。
