PHILIPS BLF1043 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1043 UHF功率LDMOS晶体管是一款高功率增益、易于功率控制、坚固耐用的晶体管，用于UHF频率范围的通信发射机应用。
PHILIPS BLF0810-90; BLF0810S-90 Base station LDMOS transistors 数据手册 BLF0810-90和BLF0810S-90是飞利浦半导体生产的LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、卓越的坚固性、底部源极消除了直流隔离器，减少了共模电感，并设计用于宽带工作（750MHz至1GHz）
PHILIPS BLF0810-180; BLF0810S-180 Base station LDMOS transistors 数据手册 BLF0810-180和BLF0810S-180是基站LDMOS晶体管，适用于频率为800至1000 MHz的基站应用。它们具有良好的热稳定性，易于功率控制，高功率增益和优异的耐用性。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100A/B 数据手册 BUK456-100A/B是一种N沟道增强模式功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等多种应用。它具有100V的漏极-源极电压、34A的漏极电流、150W的总功耗和175°C的结温等特性。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-200A/B 数据手册 BUK456-200是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器等应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1) BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管，封装为TO220AB，额定漏源电压为1000V，额定漏极电流为3.1A，额定总功耗为125W。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册 BUK456-1000B是Philips Semiconductors公司生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管，封装形式为TO220AB。该器件适用于开关电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器等应用场合。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK455-60A/B 数据手册 BUK455-60A/B是一种功率场效应晶体管，用于开关模式电源、电机控制、焊接和DC/DC、AC/DC转换器等应用。它具有60V的漏源电压、41A的漏电流、125W的总功耗和175°C的结温。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK455-100A/B 数据手册 BUK455-100A/B 是 Philips Semiconductors 生产的一款 N- 通道增强型场效应功率晶体管，封装为塑料封装。 该设备用于开关模式电源 (SMPS)、电机控制、焊接、DC/DC 和 AC/DC 转换器以及一般用途开关应用。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-800A/B 数据手册 这份文档介绍了飞利浦半导体公司的PowerMOS晶体管BUK454-800A/B的产品规格。该晶体管是一种N沟道增强型功率晶体管，适用于开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC转换器以及一般用途的开关电阻应用。其特点包括最大800V的漏极-源极电压、最大2.4A的漏极电流、最大85W的总功耗和6-8Ω的漏极-源极开态电阻。
PHILIPS PowerMOS transistor BUK454-60H 数据手册 BUK454-60H是一款N沟道增强型功率MOSFET晶体管，具有60V的漏极-源极电压和41A的漏极电流。该器件适用于汽车应用、开关模式电源、电机控制、焊接、DC/DC和AC/DC变换器以及一般用途的开关应用。
