PHILIPS BLF2022-70 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF2022-70是飞利浦公司生产的一款70 W LDMOS功率晶体管，适用于2000到2200 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用。
PHILIPS BLF2022-30 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF2022-30是飞利浦公司生产的一款30 W LDMOS功率晶体管，适用于2000到2200 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用。
PHILIPS BLF2022-125 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF2022-125是飞利浦公司生产的功率晶体管，采用SOT634A封装，主要应用于W-CDMA基站和2000到2200MHz频段的多载波应用，具有易于控制功率、坚固耐用、高功率增益、优良热稳定性等特点。
PHILIPS BLF2022-120 UHF push-pull power LDMOS transistor 数据手册 BLF2022-120是飞利浦半导体推出的一种高功率增益LDMOS晶体管，适用于2000到2200MHz频率范围的PCN和PCS应用。
PHILIPS BLF202 HF/VHF power MOS transistor 数据手册 BLF202是Philips Semiconductors生产的一种HF/VHF功率MOS晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、金属化、良好的热稳定性和全负载失配能力。它适用于HF/VHF范围的通信发射机，额定电源电压为12.5V。
PHILIPS BLF1822-10 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1822-10是一款UHF功率LDMOS晶体管，特点包括：输出功率为10W，增益为18.5dB至900MHz，13.5dB至2200MHz，效率为39%至900MHz，34%至2200MHz，dim为-31dBc至900MHz，-28dBc至2200MHz等。
PHILIPS BLF1820-90 UHF power LDMOS transistor 数据手册 该文件介绍了BLF1820-90 UHF功率LDMOS晶体管的特点和特性，包括输出功率、增益、效率、抑制等性能指标，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及多载波应用。
PHILIPS BLF1820-70 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1820-70是飞利浦推出的一款70W LDMOS功率晶体管，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及1800到2000MHz频率范围的多载波应用。
PHILIPS BLF177 HF/VHF power MOS transistor 数据手册 BLF177是菲利普斯半导体生产的高功率MOS晶体管，具有高功率增益、低互调失真、易于控制功率、良好的热稳定性和满负荷匹配特性。
PHILIPS BLF175 HF/VHF power MOS transistor 数据手册 BLF175是飞利浦公司生产的一种功率MOS管，具有高功率增益、低互调失真、易于控制功率、良好的热稳定性等特点
PHILIPS BLF147 VHF power MOS transistor 数据手册 BLF147 VHF功率MOS晶体管是一款高功率增益、低互调失真、易于控制功率、良好的热稳定性和能够承受满负荷失配的硅N沟道增强型垂直D-MOS晶体管，专为HF/VHF频率范围内的工业和军事应用而设计。
PHILIPS BLF1049 Base station LDMOS transistor 数据手册 BLF1049是飞利浦半导体生产的LDMOS功率晶体管，应用于GSM、EDGE和CDMA基站以及800到1000MHz频率范围的多载波应用，具有125W的输出功率、16.5dB的增益、54%的效率，并且具有良好的抗干扰性能。
PHILIPS BLF1048 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1048是一款UHF功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制和良好的耐用性。它适用于UHF频率范围的通信发射机应用。
PHILIPS BLF1047 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF1047是飞利浦半导体生产的一款UHF功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、优异的坚固性等特点，适用于通信发射应用于UHF频率范围。
