PHILIPS PowerMOS transistor BUK456-100B 数据手册(1)

BUK456-1000B是飞利浦半导体的N沟道增强型场效应功率晶体管,封装为TO220AB,额定漏源电压为1000V,额定漏极电流为3.1A,额定总功耗为125W。


品牌
飞利浦
文件格式
PDF
发布时间
2012年7月6日
更新时间
2023年10月1日
MD5 校验值
AD445DF104F2254870924DFCBF2EEC6E
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