PHILIPS 74F08 Quad two-input AND gate 数据手册 本文介绍了飞利浦半导体公司的74F08四输入与门集成电路的产品规格，包括引脚配置、工作温度范围、传输延迟和供电电流等特性。
PHILIPS 74F04 Hex inverter 数据手册 74F04是PHILIPS推出的一款六管反相器芯片，其工作电压为5V，工作温度范围为-40到+85度，管脚定义为14-pin plastic DIP。
PHILIPS 74F00 Quad 2-input NAND gate 数据手册 74F00是PHILIPS公司生产的一种四路二输入NAND门电路，其特点是具有工业温度范围（–40°C到+85°C），额定输入高/低电平为20µA/0.6mA，额定输出高/低电平为1.0mA/20mA。
PHILIPS BLF900-110; BLF900S-110 Base station LDMOS transistors 数据手册 BLF900-110和BLF900S-110是飞利浦半导体生产的两款射频功率放大器，适用于GSM、EDGE和CDMA基站以及800到1000MHz频段的多载波应用。
PHILIPS BLF861A UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF861A 是 Philips Semiconductors 生产的一款 UHF 功率 LDMOS 晶体管，具有高功率增益、易于控制功率、优异的坚固性、可承受突发负载失配错误、底面源消除了 DC 隔离器、减少了公共模式电感、设计用于宽带操作（UHF 带）以及内部输入和输出匹配以实现高增益和最佳宽带操作
NXP BLF6G38-50; BLF6G38LS-50 WiMAX power LDMOS transistor Rev. 01 — 12 February 2008 Preliminary data sheet 该文档介绍了一款频率范围为3400 MHz至3800 MHz的50W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用。产品具有1.23 MHz的信道带宽，9.7 dB的PAR，23%的效率以及优秀的热稳定性和可靠性。
NXP BLF6G20-110; BLF6G20LS-110 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 28 January 2008 Preliminary data sheet 1
NXP BLF6G10LS-200R Power LDMOS transistor Rev. 01 — 21 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200R是NXP推出的一款200W LDMOS功率晶体管，适用于基站应用，频率范围为800MHz至1000MHz。
NXP BLF6G10LS-200 Power LDMOS transistor Rev. 01 — 18 January 2008 Preliminary data sheet BLF6G10LS-200 是 NXP 公司生产的 200 W LDMOS 功率晶体管，用于 800 MHz 到 1000 MHz 频率的基站应用。
PHILIPS BLF647 UHF power LDMOS transistor 数据手册 BLF647是飞利浦生产的一款高功率LDMOS晶体管，具有高功率增益、易于功率控制、优异的坚固性、底部源极消除了直流隔离器，降低了共模电感，设计用于宽带工作（HF至800 MHz）
