CEL NE5520379A 数据手册(3) 该文档介绍了一款名为NE5520379A的N通道硅功率MOSFET，作为3.2V GSM900手机的传输功率放大器。它具有高输出功率、高线性增益和高功率添加效率等特点。
CEL NE5520379A 数据手册(2) NEC's NE5520379A是一款N通道硅功率MOSFET，专为3.2V GSM900手机的发射功率放大器而设计。该器件可以在915MHz和3.2V时提供35.5dBm的输出功率，或者在2.8V时通过调节门电压作为功率控制功能以提供34.6dBm的输出功率。
CEL NE5520379A 数据手册(1) NE5520279A是NEC设计的用于3.2V DCS1800手机的N通道硅功率MOSFET，最大输出功率32dBm，线性增益10dB，功率附加效率45%，工作电压2.4-6V。
PHILIPS NE5517/NE5517A/AU5517 Dual operational transconductance amplifier 数据手册 NE5517/NE5517A/AU5517是双运算放大器,具有差分输入和推挽输出,适用于各种类型的预编程增益应用。
PHILIPS Quad high-performance operational amplifier NE/SE5514 数据手册(1) NE/SE5514是一款高性能四通道运算放大器，具有低输入偏置电流和低失调电压。
PHILIPS Quad high-performance operational amplifier NE/SE5514 数据手册 NE/SE5514是一款四路高性能运算放大器，具有低输入偏置电流和低偏移电压。它的引脚布局与LM324/LM348相同，可以直接替代，提高双电源应用的系统性能。输出特性类似于µA741，但具有改进的斜率和驱动能力。
PHILIPS Dual high-performance operational amplifier NE/SA/SE5512 数据手册 NE/SA/SE5512是一款双通道高性能运算放大器，具有低输入偏置电流、低输入电压偏置、低输入电压噪声、高电压增益和大输出驱动能力等特点。
CEL NE5511279A 数据手册 NE5511279A是一款N通道硅功率LD-MOS FET，专为7.5V无线电系统的传输功率放大器而设计。该器件可在7.5V电源电压下以900MHz的频率提供40.0dBm输出功率和48%功率增益。
CEL NE5510279A 数据手册(1) NE5510279A 是一款专为 3.5V GSM1800 手机设计的 N 通道硅功率 MOSFET。它采用 NEC 的 NEWMOS 技术 (NEC 的 0.6 µm WSi 栅极横向 MOSFET) 制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在 3.5V 电源电压下输出 32dBm 输出功率，并具有 45% 的功率附加效率。
CEL NE5510279A 数据手册 NE5510179A是NEC公司推出的一款3.5V GSM1800和GSM 1900手机的射频功率MOSFET。该器件采用NEC的NEWMOS技术（NEC的0.6µm WSi gate侧向MOSFET）制造，并采用表面贴装封装。该器件可以在3.5V电源电压下以1.9GHz的频率提供29.5dBm的输出功率和50%的功率增益效率，或者可以在3.5V电源电压下提供29dBm的输出功率。
PHILIPS NE/SA/SE532 LM258/358/A/2904 Low power dual operational amplifiers 数据手册 LM258/358/A/2904 是一款低功耗双运算放大器，由两只独立的、高增益、内部频率补偿的运算放大器组成，专门设计用于在宽范围的电压下从单个电源供电。双电源供电也是可能的，并且低功率电源电流消耗与电源电压的大小无关。
PHILIPS Voltage comparator NE529 数据手册 NE529是一种高速模拟电压比较器，首次将先进的肖特基二极管技术与传统线性工艺相结合。它可以在单片集成电路上同时制造高速TTL门和精密线性放大器。
