FAIRCHILD FCH47N60_F133 说明书 SuperFETTM是Fairchild公司的专有高压MOSFET系列的新一代产品，利用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。
FAIRCHILD FCH47N60NF 说明书 FCH47N60NF是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款600V N-Channel MOSFET，具有RDS(on) = 57.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 23.5A, Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 121nC), Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特性
FAIRCHILD FCH76N60N 说明书 FCH76N60N 600V N-Channel MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款高性能 MOSFET 产品，采用了深槽填充工艺，具有 600V 的最大电压、36mΩ 的导通电阻，100% 的雪崩测试和 RoHS 认证。
FAIRCHILD FCH76N60NF 说明书 FCH76N60NF是Fairchild公司的600V N沟道MOSFET，采用FRFET技术，具有低导通电阻、低栅极电荷、低有效输出电容等特点，通过100%的雪崩测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FCI7N60 说明书 FCI7N60 600V N-Channel MOSFET 是一款由美国Fairchild公司研发的新型高压MOSFET，具有 650V@TJ = 150°C、典型RDS(on) = 0.53Ω、超低栅极电荷（典型Qg = 25nC）和低有效输出电容（典型Cosseff. = 60pF）等特点。
FAIRCHILD FCP11N60F/FCPF11N60F 说明书 FCP11N60F/FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET。它具有低导通电阻（Typ. RDS(on) = 0.32Ω）、快速恢复时间（trr = 120ns）、超低栅极电荷（typ. Qg = 40nC）、低有效输出电容（typ. Cosseff.=95pF）等特点，非常适用于各种AC/DC电源转换。
FAIRCHILD FCP11N60N / FCPF11N60NT 说明书 该文件介绍了 Fairchild 公司的 SupreMOS TM FCP11N60N / FCPF11N60NT N-Channel MOSFET 产品的特点和特性，包括最大电压、最大电流、低电阻等。
FAIRCHILD FCP13N60N / FCPF13N60NT 说明书 FCP13N60N / FCPF13N60NT N-Channel MOSFET，采用深沟填充工艺，具有低RDS(on)、超低栅极电荷、低有效输出电容等特性，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FCP16N60N / FCPF16N60NT 说明书 FCP16N60N/FCPF16N60NT N-Channel MOSFET是一款600V、16A、0.170Ω的超低阻抗功率MOSFET。
FAIRCHILD FCP190N60 / FCPF190N60 说明书 FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET 是一款由美国飞利浦半导体公司生产的 600V N 沟道 MOSFET 器件，其最大漏源电压为 600V，最大栅源电压为 ±20V。该器件的额定漏源电流为 20.2A，在 100°C 工作时最大漏源电流为 12.7A。该器件支持脉冲工作，最大脉冲漏源电流可达 60.6A。该器件还支持雪崩击穿，最大雪崩能量为 400mJ，最大雪崩电流为 4A。
FAIRCHILD FCP22N60N / FCPF22N60NT 说明书 FCP22N60N / FCPF22N60NT N-Channel MOSFET是一款高压超级结MOSFET，具有超低栅极电荷和低有效输出电容，适用于PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源应用。
