日立 2SC1212, 2SC1212A 说明书(1) 该文件介绍了2SC1212和2SC1212A的绝对最大额定值和电气特性。这是一种硅NPN外延型低频功放器件，适用于低频功率放大器应用。它具有较高的集电极到基极和集电极到发射极电压额定值，较低的发射极到基极电压额定值，最大1A的集电流，以及最大8W的集电功率耗散。电气特性方面，该器件具有较高的集电极到基极和集电极到发射极击穿电压，较低的集电极截止电流，较高的直流电流传输比，适中的基极到发射极电压和集电极到发射极饱和电压，以及较高的增益带宽积。此外，该文件还提供了器件的分组信息。
HITACHI 1SS277 Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch 数据手册 1SS277是ADE的一种硅单片平面二极管，用于UHF/VHF调谐器带切换。1SS277具有低的正向电阻(rf = 0.5Ω 最大)和超小玻璃封装(UMD)，易于安装，可靠性高。
HITACHI 1SS286 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册 1SS286是用于各种检测器，高速度开关的硅肖特基势垒二极管，具有非常低的反向电流，检测效率很好，小玻璃封装（MHD）可以实现易于安装和高可靠性。
HITACHI 1SS199 Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching 数据手册 1SS199硅肖特基势垒二极管适用于各种探测器和高速开关，具有良好的检测效率和小的温度系数。小型玻璃封装（MHD）易于安装，可靠性高。
HITACHI 1SS120 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册 1SS120 是Si Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching，具有低电容（C = 3.0pF max）和短的反向恢复时间（trr = 3.5ns max）等特点。
HITACHI 1SS119 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册 该文档介绍了1SS119硅外延平面二极管的特点，包括低电容、短的反向恢复时间和小型玻璃封装。该二极管适用于高速开关应用。
HITACHI 1SS118 Silicon Epitaxial Planar Diode for High Speed Switching 数据手册 1SS118是德州仪器生产的一种硅平面二极管，具有高平均正向电流和高可靠性。
