日立 2SA1122 说明书 2SA1122 是 NXP 公司生产的一款低频放大器，其最大集电极电压为 -55V，最大集电极-发射极电压为 -55V，最大发射极-基极电压为 -5V，最大集电流为 -100mA，最大集电极功耗为 150mW，结温为 150 °C，储存温度为 -55 到 +150 °C。
日立 2SA1083, 2SA1084, 2SA1085 数据手册 2SA1083、2SA1084和2SA1085是硅PNP外延应用晶体管，适用于低频低噪声放大器和与2SC2545、2SC2546和2SC2547互补配对。
日立 2SA1083/2SA1084/2SA1085 说明书 2SA1083, 2SA1084, 2SA1085是硅PNP外延型晶体管，适用于低频低噪声放大器。与2SC2545, 2SC2546和2SC2547互补搭配使用。
日立 2SA1029, 2SA1030 说明书(1)(1) 2SA1029和2SA1030是硅PNP外延晶体管，适用于低频放大器。与2SC458和2SC2308互补配对。特点特性包括：集电极到基极电压为-30V至-55V，集电极到发射极电压为-30V至-50V，发射极到基极电压为-5V，集电极电流为-100mA，发射极电流为100mA，集电极功耗为300mW，最高工作温度为150°C。
日立 2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 说明书(1) 2SA1025, 2SA1081, 2SA1082是三款硅PNP型晶体管，应用于低频放大器，可以与2SC2396, 2SC2543和2SC2544配合使用。
日立 2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 说明书(1)(1) 该文档介绍了2SA1025、2SA1081和2SA1082三种硅PNP外延晶体管的应用，包括低频放大器和与2SC2396、2SC2543和2SC2544互补配对等特点。
HITACHI 2SK1298 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1298是一种低阻抗、高开关速度、低驱动电流的硅N沟道MOSFET，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动。
HITACHI 2SK1296 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1296是一种高频功率开关，具有低导通电阻、高开关速度和低驱动电流的特点，可从5V电源驱动，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动
HITACJI 2SK1254(L), 2SK1254(S) Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1254(L)、2SK1254(S)为N沟道MOSFET，适用于大功率开关电路，其特点是低阻抗、高开关速度，可由5V电源驱动，适用于电机驱动、DC-DC转换器、功率开关和电磁阀驱动等
